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J-GLOBAL ID：202202251342150064   整理番号：22A0636016

リサイクル可能な表面増強Raman散乱基板のための電荷移動を有する光応答性p-Si/TiO_2/Agヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】

A photo-responsive p-Si/TiO₂/Ag heterostructure with charge transfer for recyclable surface-enhanced Raman scattering substrates

著者 (9件)： Wang Zhezhe (College of Physics and Energy, Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, Fujian Normal University, Fuzhou, 350117, China) ,  Lai Yueting ,  Cai Jieyi ,  Jia Siyi ,  Lin Lin ,  Feng Zhuohong ,  Zheng Zhiqiang ,  Xie Rongrong ,  Li Jiabing
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 24  号： 5  ページ： 1078-1084  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体-金属ヘテロ構造は魅力的な表面増強Raman散乱(SERS)活性材料であり,それは電磁(EM)と電荷移動(CT)増強効果の相乗的寄与のために効果的に性能を高めることができる。本論文では,光応答Si/TiO_2/Agヘテロ構造を調製し,そのSERSを調べた。界面エネルギー準位整列は,そのCTを促進し,電荷分離をもたらし,Agドメイン上の吸着分子の測定に有利であり,SERS活性の増加につながった。プローブ分子としてローダミン6G(R6G)を有するSi/TiO_2/Agヘテロ構造の増強因子(EF)は1.23×1012であり,優れた再現性を有し,相対標準偏差(RSD)は約2.09%であった。さらに,それは0.1ppbの低い濃度でグリホセート(Gly)を非常に容易に検出することができ,これは食品中の国家最大農薬残留限界よりはるかに低い。特に,Si/TiO_2/Ag SERS基板はUV洗浄性能を有し,非常に低いコストで実用的なトレース検出応用における有望なリサイクル可能なSERS活性基板として役立つ。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アラインメント ,  エネルギー準位 ,  界面 ,  *電荷移動 ,  半導体 ,  食品 ,  *銀 ,  農薬 ,  *表面増強Raman散乱 ,  電荷分離
準シソーラス用語： *光応答 ,  ドメイン構造 ,  *ヘテロ構造 ,  吸着分子 ,  相対標準偏差 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 有機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08064T)

タイトルに関連する用語 (7件)： リサイクル ,  表面増強Raman散乱 ,  電荷移動 ,  光応答 ,  Si ,  Ag ,  ヘテロ構造