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J-GLOBAL ID：202202251422514046   整理番号：22A0549585

LSMO/BTO/ITO強磁性トンネル接合におけるメモリスタの光起電力センシング【JST・京大機械翻訳】

Photovoltaic sensing of a memristor based in LSMO/BTO/ITO ferroionic tunnel junctions

著者 (8件)： Tenreiro Isabel (Departamento de Fisica de Materiales, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain) ,  Rouco Victor (Departamento de Fisica de Materiales, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain) ,  Sanchez-Santolino Gabriel (Departamento de Fisica de Materiales, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain) ,  Gallego Fernando (Unite Mixte de Physique, CNRS, Thales, Universite Paris Sud, Universite Paris-Saclay, F-91767 Palaiseau, France) ,  Leon Carlos (Departamento de Fisica de Materiales, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain) ,  Rivera-Calzada Alberto (Departamento de Fisica de Materiales, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain) ,  Schuller Ivan K. (Department of Physics, Center for Advanced Nanoscience, University of California, San Diego, California 92093, USA) ,  Santamaria Jacobo (Departamento de Fisica de Materiales, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, Spain)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 3  ページ： 034101-034101-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物トンネル接合に基づくメモリスタは,エネルギー効率の良い神経形態計算のための有望な候補である。しかし,不揮発性抵抗状態の低電力センシングは重要な課題である。3nm厚さのBaTiO_3強誘電体障壁を有するLa_0.7Sr_0.3MnO_3/BaTiO_3/In_2O_3:SnO_2(90:10)ヘテロ構造に基づくメムリスタの抵抗状態の光学的誘起センシングを報告した。La_0.7Sr_0.3MnO_3/BaTiO_3界面での界面Schottky障壁の変調から不揮発性メムリスタ応答が起り,ロバストな中間メムリスタ状態を生じた。Schottky障壁は3.3eVのUV LEDで照射すると光起電力応答を生成し,これは状態に依存した。開回路電圧V_ocは各状態の抵抗と直線的に相関し,20mW/cm2の低い光出力密度と100Kまでの温度におけるメムリスタ状態の能動センシングを可能にした。これは,ハイブリッドデバイスにおけるメモリ状態の効率的で最小侵襲性読出しのための道を開く。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  応答 ,  界面 ,  *記憶装置 ,  強誘電体 ,  *光起電力 ,  電圧 ,  酸化物 ,  *トンネル接合 ,  *回路部品 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 出力密度 ,  ヘテロ構造 ,  *磁気トンネル接合 ,  開回路電圧 ,  低電力化 ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  記憶装置  (JC04060F) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： LSMO ,  ITO ,  強磁性トンネル接合 ,  メモリスタ ,  光起電力 ,  センシング