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J-GLOBAL ID：202202251424793821   整理番号：22A0858263

論理ゲートとメモリデバイスを設計するためのチミンに基づく分子構造【JST・京大機械翻訳】

A thymine-based molecular structure to design logic gates and memory devices

著者 (2件)： Vohra Rajan (Department of Electronics Technology, Guru Nanak Dev University, Amritsar, India) ,  Sawhney Ravinder Singh (Department of Electronics Technology, Guru Nanak Dev University, Amritsar, India)
資料名： Journal of Computational Electronics  (Journal of Computational Electronics)
巻： 21  号： 1  ページ： 80-85  発行年： 2022年 
JST資料番号： A1072A  ISSN： 1569-8025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2プローブ法を用いてチミンについて計算研究を行った。チオールアンカーを有するチミン分子は,<111>結晶学的配向を有する2つの金電極の間に挟まれている。メモリデバイスと論理ゲートの設計におけるチミンの使用を理解するために,二次元(2D)高速Fourier変換(FFT)計算による拡張Hueckel理論を用いて,電気輸送特性を解析した。温度は300Kで,メッシュカットオフ値は75Hartreeであった。線形I-V特性はチミンベースデバイスに対する電流のより高い値に対して得られた。これは,散乱領域における金電極と分子の強い結合に基づいて説明できる。さらに,2Vと1Vでの整流比を適用して,ANDとORゲートをそれぞれ設計した。さらに,これらのゲートに基づくメモリデバイスを実証した。結果は,DNA(チミン)の塩基の1つに基づくこのような分子デバイスが電子デバイスで可能な応用を持ち,それによって電子回路のさらなる小型化を可能にすることを示した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  散乱 ,  電流 ,  *分子構造 ,  電子回路 ,  *論理回路 ,  *論理素子 ,  結晶方位 ,  チオール ,  DNA【核酸】 ,  小型化 ,  二次元 ,  分子素子 ,  金電極 ,  窒素複素環化合物 ,  ウレア化合物 ,  ヒドロキシ化合物
準シソーラス用語： *論理ゲート ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： チミン ,  電子デバイス ,  整流比 ,  メモリデバイス ,  ANDゲート ,  ORゲート

分類 (4件)： ピリミジン  (CF07103W) ,  核酸一般  (EB04010U) ,  その他の接合  (BM03088W) ,  生物科学研究法一般  (EA03010K)

物質索引 (1件)： チミン

タイトルに関連する用語 (5件)： 論理ゲート ,  メモリデバイス ,  設計 ,  チミン ,  分子構造