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J-GLOBAL ID：202202251487643295   整理番号：22A1186484

準一次元セレン化タンタルvan der Waalsナノリボンの金属対半導体特性【JST・京大機械翻訳】

Metallic vs. semiconducting properties of quasi-one-dimensional tantalum selenide van der Waals nanoribbons

著者 (10件)： Kargar Fariborz (Nano-Device Laboratory (NDL) and Phonon Optimized Engineered Materials (POEM) Center, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Riverside, California 92521, USA. [e-mail]) ,  Krayev Andrey ,  Wurch Michelle ,  Ghafouri Yassamin ,  Debnath Topojit ,  Wickramaratne Darshana ,  Salguero Tina T. ,  Lake Roger K. ,  Bartels Ludwig ,  Balandin Alexander A.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 14  号： 16  ページ： 6133-6143  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金基板上に剥離した準1D TaSe_3-δナノリボンの先端増強Raman散乱分光法(TERS)と光ルミネセンス(PL)研究を行った。δ0.25(Se/Ta=2.75)のセレン欠乏において,ナノリボンは,約920nm(1.35eV)に中心を持つ強い広いPLピークを示し,それらの半導体挙動を示唆した。このようなナノリボンは785nm(1.58eV)レーザ励起の下で強いTERS応答を明らかにし,それらのナノスケール分光イメージングを可能にした。より小さなセレン欠乏(Se/Ta=2.85,δ0.15)を有するナノリボンは,PLまたはTERS応答を示さなかった。これらの試料の共焦点Ramanスペクトルは金属TaSe_3の以前に報告されたスペクトルと一致した。本研究で調べたナノリボンの光学応答の違いは,Se含有量のわずかな変化が電子バンド構造の変化を誘導し,金属または半導体特性のどちらかを示す試料を引き起こすことを示唆する。両タイプの材料で作製したデバイスの温度依存電気測定は,これらの観察を裏付けた。密度汎関数-理論計算は,Se空孔中の酸素原子の置換がバンドギャップ開口をもたらし,金属から半導体への転移を可能にすることを明らかにした。しかし,予測されたバンドギャップは,PLデータから得られたものより実質的に小さい。これらの結果は,van der Waals材料の特性が,化学量論,欠陥タイプおよび濃度,およびおそらく環境および基板効果に依存して著しく異なることを示した。この発見の観点から,TERSによるナノリボン特性の局所的プロービングは,そのような低次元系を理解するために不可欠である。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman散乱 ,  Ramanスペクトル ,  *金属 ,  *半導体 ,  光ルミネセンス ,  *セレン ,  温度依存性 ,  化学量論 ,  *一次元 ,  *リボン結晶 ,  レーザ励起 ,  密度汎関数法 ,  *ナノ構造 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 光応答 ,  *ナノリボン ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (3件)： セレン化タンタル ,  VAN ,  ナノリボン