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J-GLOBAL ID：202202251543292709   整理番号：22A0454521

NiドープCd_0.9Zn_0.1Sナノ構造の増強光触媒作用および抗菌特性【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Photo-Catalytic and Antibacterial Properties of Ni-Doped Cd_0.9Zn_0.1S Nanostructures

著者 (5件)： Jothi S. (Department of Chemistry, Government Arts College for Women, Sivagangai, Tamilnadu, India) ,  Ganesh Rane Caroleena (Department of Chemistry, Sidharth College, Badlapur, University of Mumbai, Mumbai, Maharashtra, India) ,  Muthukumaran S. (PG & Research Department of Physics, Government Arts College, Melur, Madurai, Tamilnadu, India) ,  Rathiha S. K. (PG & Research Department of Physics, Government Arts College, Melur, Madurai, Tamilnadu, India) ,  Seenivasan R. K. (Department of Chemistry, Government Arts College, Melur, Madurai, Tamilnadu, India)
資料名： Journal of Inorganic and Organometallic Polymers and Materials  (Journal of Inorganic and Organometallic Polymers and Materials)
巻： 32  号： 1  ページ： 297-310  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0462A  ISSN： 1574-1443  CODEN： JIOPE4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,化学的共沈法によるCd_0.9Zn_0.1SとCd_0.87Zn_0.1Ni_0.03Sナノ構造の合成について述べた。XRDプロファイルは,不純物関連相の無い試料の立方晶結晶構造を証明した。Cd_0.87Zn_0.1Ni_0.03S構造中のNi添加によって,63から51Åの縮小サイズと格子定数とミクロ歪の異種性を論じた。Niドープ試料での注目された異常な光学的研究と高い透過率は,効率的なオプトエレクトロニクスデバイスの作製を示唆した。Ni=3%の置換時のエネルギーギャップの減少は,2つのバンド内の欠陥に関連した余分なエネルギー準位の生成によって説明される。付加的電荷キャリアの放出,改善された光学的性質,減少した粒径,およびより多くの欠陥発生が,NiドープCd_0.9Zn_0.1Sの強化された光触媒性能の原因である。Cd_0.87Zn_0.1Ni_0.03Sの強化された抗細菌能は,還元粒子サイズとO_2・-,H_2O_2とOHOH・Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  エネルギーギャップ ,  エネルギー準位 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  不純物 ,  *ニッケル ,  *ドーピング ,  立方晶系 ,  透過率 ,  共沈 ,  *光触媒 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： NiドープCd_0.9Zn_0.1S ,  XRD ,  エネルギーギャップ ,  光触媒 ,  MB染料 ,  抗菌研究

分類 (2件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ni ,  ドープ ,  ナノ構造 ,  増強 ,  光触媒作用 ,  抗菌