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J-GLOBAL ID：202202251726673488   整理番号：22A1083964

ハロゲン化分子の原子中心部分電荷に及ぼすオフセンター[数式:原文を参照]ホールの効果【JST・京大機械翻訳】

The effect of off-center [Formula : see text]-hole on the atom-centered partial charges in halogenated molecules

著者 (2件)： Leskourova Aneta (Department of Physical Chemistry, University of Chemistry and Technology, Prague, Czech Republic) ,  Kolar Michal H. (Department of Physical Chemistry, University of Chemistry and Technology, Prague, Czech Republic)
資料名： Journal of Computational Chemistry  (Journal of Computational Chemistry)
巻： 43  号： 12  ページ： 864-869  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0111B  ISSN： 0192-8651  CODEN： JCCHDD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 部分原子電荷は計算化学の重要な概念に属する。しかし,ある場合には,それらは分子の静電気を記述するのに失敗する。1つの例は,ハロゲンおよび他の原子に位置する正の静電ポテンシャルの領域である[数式:原文を参照]-正孔である。分子力学において,[数式:原文を参照]-正孔は,ハロゲン核から離れた正の部分電荷を持つ擬原子としてしばしばモデル化される。ここでは,擬原子が分子中の他の原子の部分電荷にどの程度影響するかについて疑問に取り組んだ。この目的のために,制限静電ポテンシャル(RESP)法で計算したZINCデータベースから2300以上のハロゲン化分子の部分電荷を徹底的に解析し,それらを擬似原子を含むRESPでフィットした電荷と比較した。擬似原子は,分子の大部分に対して電荷フィッティングを改善することを示した。オフセンター電荷としてモデル化した[数式:原文を参照]-正孔は,ハロゲンから3つの共有結合内の原子に影響する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *原子 ,  正孔 ,  静電気 ,  電位 ,  *電荷 ,  *分子 ,  データベース ,  *ハロゲン ,  *ハロゲン化 ,  分子内力学 ,  共有結合 ,  計算化学
準シソーラス用語： 静電ポテンシャル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  物理化学一般  (CB01010X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ハロゲン化 ,  分子 ,  原子 ,  電荷 ,  数式 ,  参照 ,  ホール