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J-GLOBAL ID：202202251730814997   整理番号：22A1094845

二重中温度成長AlN中間層を持つ半極性(112≦2)AlNエピ層の改善された表面形態と結晶品質【JST・京大機械翻訳】

Improved surface morphology and crystalline quality of semi-polar (1122) AlN epilayer with dual moderate-temperature-grown AlN interlayers

著者 (10件)： Luo Xuguang (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing, 210096, Jiangsu, China) ,  Zhang Xiong (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing, 210096, Jiangsu, China) ,  Chen Bin (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing, 210096, Jiangsu, China) ,  Shen Yang (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing, 210096, Jiangsu, China) ,  Tian Yong (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing, 210096, Jiangsu, China) ,  Fan Aijie (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing, 210096, Jiangsu, China) ,  Chen Shuai (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing, 210096, Jiangsu, China) ,  Qian Yingda (Department of Physics, Tokyo University of Science, Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan) ,  Zhuang Zhe (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing, 210096, Jiangsu, China) ,  Hu Guohua (Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing, 210096, Jiangsu, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 144  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-有機化学蒸着により,二重中温度成長(MTG)AlN中間層の助けにより,(101>550)m面サファイア基板上に,半極性(112×√2)AlNエピ層を成長させた。半極性(112×√2)AlNエピ層の表面形態と結晶品質の両方の顕著な改善が,ナノスケールパターン化基板状構造の形成によるMTG AlN中間層の挿入と,それらの関連する部分転位による基底面積層欠陥の減少により達成された。原子間力顕微鏡(AFM)とX線回折の特性評価結果に基づいて,20から100nmの範囲のMTG AlN中間層の厚さの変化の影響を,詳細に調査した。MTG AlN中間層の厚さの変化に関係なく,(101≦550)m面サファイア基板上に二重AlN中間層で成長させたすべての半極性AlNエピ層試料は,一意的に[112}2]配向であった。さらに,挿入した二重MTG AlN中間層の厚みが約80nmの場合,表面粗さの最も顕著な減少と構造品質の最も効果的な改善が得られることが分かった。事実,半極性(112×√2)AlNエピ層表面の最小自乗平均粗さは,AFM測定によって1.4nmであると決定した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  最小二乗法 ,  *表面構造 ,  *品質 ,  部分転位 ,  化学蒸着 ,  *窒化アルミニウム ,  積層欠陥 ,  パターン形成 ,  原子間力顕微鏡 ,  *モルフォロジー
準シソーラス用語： *結晶品質 ,  *表面形態 ,  サファイア基板 ,  ナノスケール ,  原子間力顕微鏡法 ,  *エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二重中温度成長AlN中間層 ,  半極性AlNエピ層 ,  表面形態 ,  結晶品質

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 中温度 ,  成長 ,  AlN ,  中間層 ,  半極性 ,  エピ層 ,  表面形態 ,  結晶品質