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J-GLOBAL ID：202202252199209102   整理番号：22A0640379

van der Waalsヘテロ構造の形態および局所機械的および電気的性質の間の相関【JST・京大機械翻訳】

Correlation between morphology and local mechanical and electrical properties of van der Waals heterostructures

著者 (5件)： Vasic Borislav (Institute of Physics Belgrade, University of Belgrade, Pregrevica 118, 11080 Belgrade, Serbia) ,  Ralevic Uros (Institute of Physics Belgrade, University of Belgrade, Pregrevica 118, 11080 Belgrade, Serbia) ,  Askrabic Sonja (Institute of Physics Belgrade, University of Belgrade, Pregrevica 118, 11080 Belgrade, Serbia) ,  Capeta Davor (Center of Excellence for Advanced Materials and Sensing Devices, Institute of Physics, Bijenicka 46, 10000, Zagreb, Croatia) ,  Kralj Marko (Center of Excellence for Advanced Materials and Sensing Devices, Institute of Physics, Bijenicka 46, 10000, Zagreb, Croatia)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 15  ページ： 155707 (13pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： van der Waals(vdW)ヘテロ構造の特性は,二次元(2D)層間の界面の品質に強く依存する。ダングリングボンドのない原子的に平坦で,クリーンで化学的に不活性な界面を持つ代わりに,トップダウンvdWヘテロ構造は,気泡と層間挿入層(ILs)と会合し,これは,汚染が製造プロセス中に現れる。原子間力顕微鏡(AFM)に基づく方法を用いて,MoS_2/WS_2ヘテロ構造の局所電気的および機械的特性に及ぼすそれらの影響を調べた。気泡とILを含むドメインは,摩擦とエネルギー散逸の増加と共に局所的に軟らかいことを示した。2D層間の鋭い界面と効率的な電荷移動を防ぐので,電流と接触電位差は強く減少する。MoS_2とWS_2層間の密接な接触を再確立するために,vdWヘテロ構造を接触モードでAFMチップで走査し,あるいは垂直荷重増加で局部的にプレスすることにより局所的に平坦化した。その後の電気的測定は,2つの層間の接触電位差が電荷移動を可能にするため強く増加し,一方,局所I/V曲線が望ましくないポテンシャル障壁なしで伝導率の増加を示すことを明らかにした。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  機械的性質 ,  気泡 ,  接触電位差 ,  電荷移動 ,  電気測定 ,  電流 ,  *電気的性質 ,  ポテンシャル障壁 ,  二次元 ,  ダングリングボンド ,  生産工程 ,  原子間力顕微鏡 ,  インターカレーション
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： VAN ,  ヘテロ構造 ,  形態 ,  電気的性質 ,  相関