文献

J-GLOBAL ID：202202252244324918   整理番号：22A0985955

MnドープInAs/GaSbにおけるFermi準位同調とバンド整列【JST・京大機械翻訳】

Fermi level tuning and band alignment in Mn-doped InAs/GaSb

著者 (13件)： Riney L. (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Bermejo-Ortiz J. (Laboratoire de Physique de l’Ecole Normale Superieure, ENS, Universite PSL, CNRS, Sorbonne Universite, 24 rue Lhomond, 75005 Paris, France) ,  Krizman G. (Institut fuer Halbleiter- und Festkorperphysik, Johannes Kepler Universitaet, Linz, Altenberger Strasse 69, 4040 Linz, Austria) ,  Bac S.-K. (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Wang J. (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Zhukovskyi M. (Notre Dame Integrated Imaging Facility, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Orlova T. (Notre Dame Integrated Imaging Facility, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  de Vaulchier L. A. (Laboratoire de Physique de l’Ecole Normale Superieure, ENS, Universite PSL, CNRS, Sorbonne Universite, 24 rue Lhomond, 75005 Paris, France) ,  Guldner Y. (Laboratoire de Physique de l’Ecole Normale Superieure, ENS, Universite PSL, CNRS, Sorbonne Universite, 24 rue Lhomond, 75005 Paris, France) ,  Winkler R. (Department of Physics, Northern Illinois University, DeKalb, Illinois 60115, USA) ,  Furdyna J. K. (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Liu X. (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  Assaf B. A. (Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 105  号： 12  ページ： 125301  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaSbは,螺旋トポロジーエッジ状態を生成することが示されている破壊ギャップバンドアラインメントをホストした。構造にMnを導入すると,量子化した異常なHall効果のホストとなることが予測された。ここでは,InAs/GaSb中のInAsへの希薄Mnドーピングが,Fermi準位の調整,常磁性の導入を可能にするが,系のバンド整列に,非自明な影響を与えることを示した。Mnドープ試料におけるShubnikov-de Haas振動,サイクロトロン共鳴,および非線形Hall効果の測定は,高移動度二次元電子ガスと正孔ガスの共存を示した。逆に,非ドープInAs/GaSbでは,純粋n型輸送が観察された。Mnアクセプタ準位は界面から遠く離れたInAsの価電子帯端近くのFermiエネルギーをピン止めし,InAs/GaSb界面でのバンドオフセットを保存する強いバンド曲がりを導入すると仮定した。したがって,この構造における量子化異常Hall効果の実現は,トポロジー絶縁特性を保存するためのバンドアラインメントの注意深い制御を必要とする。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  界面 ,  常磁性 ,  正孔 ,  *マンガン ,  *ヒ化インジウム ,  *同調 ,  *Fermi準位 ,  *ドーピング ,  価電子バンド ,  *アンチモン化ガリウム ,  二次元電子ガス ,  バンドオフセット
準シソーラス用語： アクセプタ準位 ,  *バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Mn ,  ドープ ,  InAs ,  GaSb ,  Fermi準位 ,  同調 ,  バンド整列