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J-GLOBAL ID：202202252711790173   整理番号：22A0975139

イオン移動を抑制し光電子性能を増強するためのMAPbBr_3ペロブスカイト単結晶の表面不動態化【JST・京大機械翻訳】

Surface Passivation of MAPbBr₃ Perovskite Single Crystals to Suppress Ion Migration and Enhance Photoelectronic Performance

著者 (23件)： Chen Luoran (Laboratory of Thin Film Optics, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Chen Luoran (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Chen Luoran (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Hu (Laboratory of Thin Film Optics, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Hu (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhang Wenqing (Laboratory of Thin Film Optics, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhang Wenqing (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhang Wenqing (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Fenghua (Laboratory of Thin Film Optics, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Li Fenghua (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Zhiyuan (Laboratory of Thin Film Optics, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Zhiyuan (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Zhiyuan (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Xueyan (Laboratory of Thin Film Optics, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Xueyan (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shao Yuchuan (Laboratory of Thin Film Optics, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shao Yuchuan (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shao Yuchuan (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shao Yuchuan (Hangzhou Institute for Advanced Study, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shao Jianda (Laboratory of Thin Film Optics, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shao Jianda (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shao Jianda (Key Laboratory of Materials for High Power Laser, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shao Jianda (Hangzhou Institute for Advanced Study, University of Chinese Academy of Sciences, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 8  ページ： 10917-10926  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,有機金属ハライドペロブスカイト(OHPs)は,光起電力,発光ダイオード,X線検出器およびトランジスタにおいて顕著な進歩を達成した。しかし,商業化と実用化はOHPsの悪臭イオン移動問題によって妨げられた。ここでは,MAPbBr_3単結晶のイオン移動を抑制するために,有機ハロゲン化物塩(メチルアンモニウムブロミド(MABr)とフェニルエチルアンモニウムブロミド(PEABr))を用いた簡単な溶媒ベースの表面不動態化戦略を報告する。表面不動態化効果は,より強い光ルミネセンス(PL)強度と拡張PL寿命によって証明された。パルス電圧と連続電圧電流-電圧測定を用いて,表面不動態化を有する単結晶がイオン移動の抑制により表面に無視できるヒステリシスを示すことを見出した。その結果,共平面構造デバイスの暗電流安定性は著しく改善された。さらに,PEABr処理による垂直構造X線検出器は,5Vバイアス下で15280μCGy_air-1cm-2の高感度と87nGy_airs-1の低い検出限界を示した。提案した技術は,ペロブスカイト光電子素子の性能を改善するための多用途なツールである。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  光起電力 ,  *単結晶 ,  電圧 ,  電流 ,  トランジスタ ,  光ルミネセンス ,  *不動態化 ,  *イオン輸送 ,  暗電流 ,  有機ハロゲン化合物 ,  検出限界 ,  *光電子 ,  X線検出器
準シソーラス用語： パルス電圧 ,  *表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 表面不動態化 ,  ペロブスカイト単結晶 ,  有機ハロゲン化物塩 ,  イオン移動 ,  パルス電圧電流電圧

分類 (5件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  電池一般  (YB04010O) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  分析機器  (CC02020S) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン移動 ,  光電子 ,  増強 ,  ペロブスカイト ,  単結晶 ,  表面不動態化