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J-GLOBAL ID：202202252772334739   整理番号：22A0237422

シリコンドープNASICON型固体電解質Li_1.3Al_0.3Ti_1.7P_3O_12の局所構造,微細構造およびイオン伝導率への洞察【JST・京大機械翻訳】

Insights into the local structure, microstructure and ionic conductivity of silicon doped NASICON-type solid electrolyte Li_1.3Al_0.3Ti_1.7P₃O₁₂

著者 (11件)： Zhu Jianping (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surface, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Xiang Yuxuan (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surface, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhao Jun (Clean Nano Energy Center, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao 066004 China) ,  Wang Hongchun (College of Energy, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Li Yixiao (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surface, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zheng Bizhu (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surface, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  He Huajin (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surface, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Zhang Zhongru (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surface, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Huang Jianyu (Clean Nano Energy Center, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao 066004 China) ,  Yang Yong (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surface, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Yang Yong (College of Energy, Xiamen University, Xiamen 361005, China)
資料名： Energy Storage Materials  (Energy Storage Materials)
巻： 44  ページ： 190-196  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3097A  ISSN： 2405-8297  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NASICON型固体電解質Li_1.3Al_0.3Ti_1.7P_3O_12(LATP)は,安価な原料,優れた空気安定性,および高いイオン伝導率のために魅力的である。シリコンドーピングは,その伝導率をさらに改善するために一般的に採用されるが,対応する機構は空である。ここでは,簡単な溶液ベース法でシリコンドープLATP電解質を合成し,固体電解質の局所構造,微細構造およびイオン拡散速度に及ぼす異なるシリコンドーピングレベルの影響を系統的に調べた。まず,四面体サイトの代わりにLi_1.3Al_0.3Ti_1.7P_3O_12電解質中のシリコンの八面体占有を提唱した。シリコンドーピングは,粒子バルク中のイオン輸送に対して負であるが,微細構造,すなわち,シリコンドーピングは,微小構造,すなわち,シリコンドーピングが,結晶粒界におけるLiTiOPO_4の偏析を誘起し,これは,焼結中の電解質結晶粒の異常成長および付随的なガス細孔および亀裂を効果的に抑制できる,という事を,その結晶粒界におけるLiTiOPO_4の偏析を誘起した。”そのために,その粒界伝導率は,その結晶粒界におけるLiTiOPO_4の偏析を誘起する,ことが分ったが,そのために,その結晶粒境界伝導率は,その結晶粒界におけるLiTiOPO_4の偏析を誘起し,その原因は,その結晶粒界におけるLiTiOPO_4の偏析を誘起した。結果として,全伝導率は,この簡単な方法でシリコンドーピング後に~10-3S・cm-1に達することができる。著者らの結果は,無機高速イオン伝導体の開発中の電解質のミクロ構造とイオン伝導率に対する二次相の調整の重要性を実証した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 亀裂 ,  結晶粒界 ,  焼結 ,  偏析 ,  *ケイ素 ,  *固体電解質 ,  ドーピング ,  イオン拡散 ,  イオン輸送 ,  結晶粒 ,  *電解質
準シソーラス用語： *NASICON ,  イオン伝導体 ,  *イオン伝導率 ,  *伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Li_1.3Al_0.3Ti_1.7P_3O_12 ,  シリコンドーピング ,  結晶粒界 ,  二次相 ,  微細構造

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  ドープ ,  NASICON ,  固体電解質 ,  局所構造 ,  微細構造 ,  イオン伝導率 ,  洞察