文献

J-GLOBAL ID：202202252894900155   整理番号：22A0553350

高電流オメガ形状ゲートMoS_2トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-Current Omega-Shaped Gated MoS2 Transistors

著者 (8件)： Yu Zhiming (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China) ,  Duan Xinpei (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China) ,  Zhang Sen (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China) ,  Lin Jun (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China) ,  Su Wanhan (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China) ,  Li Guoli (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China) ,  Liu Xingqiang (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China) ,  Liao Lei (Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 2  ページ： 816-819  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D材料は,強化された静電ゲート制御のためのそれらの固有の超薄体のために,シリコンを超える将来の先進エレクトロニクスに対して有望である。ここでは,埋込みゲートとしてAgナノワイヤ(NW)に基づくオメガ型二重ゲートMoS_2トランジスタを作製し,オメガ形状ゲートアーキテクチャは,局所ゲート制御性の向上を可能にし,室温にて,ON/OFF電流比108およびサブスレッショルドスイング(SS)76mV/decの優れた電気的性能をもたらした。二重ゲートを有するトランジスタの閾値電圧を制御することによって,インバータとNANDゲート回路を製作し,インバータの電圧利得は,87%V_SiWD_DD>の高雑音マージンで36であった。本研究は,高電流MoS_2トランジスタの道筋を示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  *電流 ,  *トランジスタ ,  ケイ素 ,  電子技術 ,  二次元 ,  *ゲート【半導体】 ,  インバータ ,  ナノワイヤ
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  閾値電圧 ,  電圧利得 ,  *大電流 ,  ゲート制御 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電流 ,  オメガ ,  ゲート ,  トランジスタ