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J-GLOBAL ID：202202253159564276   整理番号：22A0233137

窒素ドープグラフェン量子ドットの無放射再結合損失における中心Nドーピングの役割【JST・京大機械翻訳】

The role of center-N-doping in non-radiative recombination loss of nitrogen-doped graphene quantum dots

著者 (2件)： Cui Peng (Nanotechnology Research Laboratory, School of Textile Science and Engineering, Jiangnan University, No.1800 Lihu Road, Binhu District, Wuxi, Jiangsu Province, PR China) ,  Xue Yuan (Nanotechnology Research Laboratory, School of Textile Science and Engineering, Jiangnan University, No.1800 Lihu Road, Binhu District, Wuxi, Jiangsu Province, PR China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 139  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C-N結合環境はグラフェン格子の完全性を低下させ,欠陥状態を窒素ドープグラフェン量子ドット(NGQDs)に誘導し,NGQDsの光ルミネセンス量子収量に大きく影響した。本研究では,Fermiのゴールデン則に基づいて,純粋およびNドープGQDsにおける非放射緩和動力学を調べた。その結果,N-ドーピングはフロンティア軌道の電子分布を摂動し,最高被占分子軌道(HOMO)-最低非占有分子軌道(LUMO)ギャップを減少させ,元のGQDと比較してNGQDsの光学スペクトルの赤方偏移をもたらすことが分かった。特に,黒鉛およびピリジンNは中間ギャップ状態を生成するが,NGQDsにおける非放射減衰に対して異なる効果を示した。黒鉛性NGQDでは,黒鉛Nの負の誘導効果がπ電子密度を低下させ,特に電子捕獲段階の間に例外的に小さな電子カップリングを生じる。その結果,それはピリジンおよびピロールNGQDsよりも効率の低い非放射減衰を有する。対照的に,ピリジン性NGQDの電子捕獲段階に関連した大きな分子内および溶媒再組織化エネルギーは,正孔トラッピング段階を通して非常に効率的な電子-正孔再結合チャネルを生成し,その非放射減衰を加速した。全体として,本研究は,NGQDsの非放射減衰における各N機能性の特異的役割に関する現在の理解を進歩させた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  赤方偏移 ,  電子捕獲 ,  光ルミネセンス ,  量子収量 ,  グラファイト ,  *ドーピング ,  再編成 ,  HOMO ,  LUMO ,  *グラフェン ,  窒素複素環化合物
準シソーラス用語： トラッピング ,  *窒素ドーピング ,  放射減衰 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン量子ドット ,  密度汎関数理論 ,  Nドーピング ,  Fermiの黄金則 ,  無放射崩壊

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  光化学反応  (CB08020F)

物質索引 (1件)： ピリジン

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素ドープ ,  グラフェン量子ドット ,  損失 ,  ドーピング ,  役割