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J-GLOBAL ID：202202253179192014   整理番号：22A0958749

MOSおよび線形バイポーラ素子における界面トラップアニーリングに及ぼすBiasおよび温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Bias and Temperature on Interface-Trap Annealing in MOS and Linear Bipolar Devices

著者 (1件)： Fleetwood Daniel M. (Department of Electrical and Computer Engineering, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 3  ページ： 587-608  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,Si/SiO_2界面トラップ蓄積とアニーリング速度に及ぼす印加バイアスと温度の影響をレビューした。MOSキャパシタとトランジスタ,および線形バイポーラデバイスにおける酸化Si表面での界面トラップ密度を推定するために,電気的および分光学的方法を記述した。説明結果は,界面トラップアニーリングの速度論とエネルギー論への洞察を提供する。MOSと線形バイポーラ素子の界面トラップは,正または負の印加バイアスよりも0Vバイアスではるかに容易にアニールする。水素輸送と反応は,界面トラップ蓄積とアニーリングプロセスにおいて重要な役割を果たす。H_2拡散とH+ドリフトの間の複雑な相互作用を,結合実験と理論研究によって説明した。界面トラップアニーリングは硬度測定技術に著しい制約を課す。最悪ケース,静的,正のバイアスでの高温での加速劣化を組み込んだ現在のMOS標準試験は,低線量率環境におけるMOSデバイスの評価の成功を可能にする。しかし,線形バイポーラデバイスとICsに対する低線量率応答を予測するために,最悪の場合,0Vバイアスで高温照射および/またはアニーリングを使用するのは,同様に可能ではない。照射中の温度スイッチングはこの課題に対処する有望なアプローチであるように見える。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *温度 ,  高温 ,  *焼なまし ,  スイッチング ,  相互作用 ,  トランジスタ ,  MOSFET ,  酸化ケイ素 ,  ドリフト ,  速度論 ,  線形性 ,  バイアス ,  *キャリア捕獲
準シソーラス用語： MOSコンデンサ ,  *界面トラップ ,  *バイポーラ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOS ,  線形 ,  バイポーラ ,  界面トラップ ,  アニーリング