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J-GLOBAL ID:202202253214877672   整理番号:22A0286299

自立2D非van der Waals反強磁性六方晶FeSe半導体:ハロゲン化物支援化学合成とFe2+関連磁気転移【JST・京大機械翻訳】

Free-standing 2D non-van der Waals antiferromagnetic hexagonal FeSe semiconductor: halide-assisted chemical synthesis and Fe2+ related magnetic transitions
著者 (10件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 203-209  発行年: 2022年 
JST資料番号: U7042A  ISSN: 2041-6539  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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二次元(2D)磁性ナノ構造の不足はスピントロニクスにおけるそれらの応用を妨げており,ほとんどの磁性材料は非van der Waals(nvdW)構造を示し,その厚さを2Dナノ構造に低減することが困難である。したがって,自立2D磁性nvdWナノ構造のための有望な戦略を開発する必要がある。Cl-と-NH_2の相乗効果が異方性成長をもたらすCl-の支援で,Hubbard-Se錯体とFe2+との反応によって,2.9nmの厚さを有する自立2D nvdW六方晶FeSeを達成した。驚くべきことに,2D六方晶FeSeはFe2+と半導体的性質に根付いた固有の反強磁性秩序を示した。さらに,温度変化はFe2+の化学的環境変化をもたらし,温度依存性磁気転移の原因となる。本研究は,2D六方晶FeSeの潜在的応用と,他の2D nvdW材料の調製を促進する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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鉄の錯体 

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