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J-GLOBAL ID：202202253431259956   整理番号：22A1149894

ペロブスカイト太陽電池の安定性を制限するヘテロ界面

Stability-limiting heterointerfaces of perovskite photovoltaics

著者 (28件)： TAN Shaun (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  HUANG Tianyi (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  WANG Rui (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  XING Qiyu (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  CHEN Chung-Hao (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  ZHENG Ran (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  ZHAO Yepin (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  WANG Hao-Cheng (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  MENG Dong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  XUE Jingjing (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  YANG Yang (Dep. of Materials Sci. and Engineering and California NanoSystems Inst., Univ. California Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  YAVUZ Ilhan (Dep. of Physics, Marmara Univ., Istanbul, TUR) ,  WANG Rui (School of Engineering, Westlake Univ. and Inst. of Advanced Technol., Westlake Inst. for Advanced Study, Hangzhou, CHN) ,  YOON Tae Woong (SKKU Advanced Inst. of Nanotechnology (SAINT) and Dep. of Nanoengineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PARK Keonwoo (SKKU Advanced Inst. of Nanotechnology (SAINT) and Dep. of Nanoengineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  YOON Taegeun (SKKU Advanced Inst. of Nanotechnology (SAINT) and Dep. of Nanoengineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  SONG Young Jae (SKKU Advanced Inst. of Nanotechnology (SAINT) and Dep. of Nanoengineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Jin-Wook (SKKU Advanced Inst. of Nanotechnology (SAINT) and Dep. of Nanoengineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  XU Mingjie (Irvine Materials Res. Inst., Univ. California Irvine, Irvine, CA, USA) ,  PAN Xiaoqing (Irvine Materials Res. Inst., Univ. California Irvine, Irvine, CA, USA) ,  LEE Do-Kyoung (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PARK Nam-Gyu (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  CHEN Chung-Hao (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Yang Ming Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WANG Hao-Cheng (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Yang Ming Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  PAN Xiaoqing (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Dep. of Physics and Astronomy, Univ. California Irvine, Irvine, CA, USA) ,  PARK Nam-Gyu (SKKU Inst. of Energy Sci. & Technol. (SIEST), Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Jin-Wook (SKKU Inst. of Energy Sci. & Technol. (SIEST), Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  SONG Young Jae (Center for Integrated Nanostructure Physics, Inst. for Basic Sci. (IBS), Suwon, KOR)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 605  号： 7909  ページ： 268-273  発行年： 2022年05月12日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オプトエレクトロニクスデバイスは,異種の半導体材料間に形成されるヘテロ界面で構成される。接触する半導体間のエネルギー準位の相対配置は,ヘテロ界面の電荷注入と電荷抽出のダイナミクスに決定的な影響を及ぼす。ペロブスカイト太陽電池(PSC)では,ペロブスカイト上面と電荷輸送材料の間のヘテロ界面の欠陥を不動態化処理して,PSCの安定性と性能を向上させることが多い。しかし,そうした表面処理は,ヘテロ界面のエネルギー論にも影響を及ぼし得る。今回我々は,表面処理によって負の仕事関数変化(すなわち,より強いn型になる)が生じ,ハロゲン化物イオンの移動が活性化されて,PSCの不安定性がさらに悪化する可能性があることを示す。従って,表面の不動態化の影響は有益であるにもかかわらず,この副次的悪影響のせいで,この方法で処理されたPSCが達成できる最大安定性の向上が制限される。有益な影響と有害な影響のこうしたトレードオフは,表面処理によるPSCの安定性向上に関するさらなる研究の指針となるはずである。Copyright Nature Japan KK 2022

シソーラス用語： 安定性 ,  イオン ,  エネルギー準位 ,  *太陽電池 ,  電荷 ,  半導体 ,  表面処理 ,  *不動態化 ,  半導体材料 ,  ハロゲン化物 ,  不安定性 ,  キャリア注入
準シソーラス用語： *ヘテロ界面 ,  光電子デバイス ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  安定性 ,  制限 ,  ヘテロ界面