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J-GLOBAL ID：202202253516447903   整理番号：22A1065049

単層MoSi_2N_4に基づく短ゲートMOSFETの量子輸送【JST・京大機械翻訳】

Quantum transport of short-gate MOSFETs based on monolayer MoSi₂N₄

著者 (10件)： Ye Bingjie (School of Science, Jiangsu Provincial Research Center of Light Industrial Optoelectronic Engineering and Technology, Jiangnan University, Wuxi 214122, China. [e-mail]) ,  Jiang Xuecheng ,  Gu Yan ,  Yang Guofeng ,  Liu Yushen ,  Zhao Huiqin ,  Yang Xifeng ,  Wei Chunlei ,  Zhang Xiumei ,  Lu Naiyan
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 11  ページ： 6616-6626  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元(2D)MoSi_2N_4の高いキャリア移動度,適切なバンドギャップおよび良好な環境安定性は,優れた性能を有するトランジスタのための適切なチャネル材料である。従って,ab initio量子輸送計算により,単層(ML)MoSi_2N_4に基づく二重ゲート(DG)金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の性能を予測した。結果は,ゲート長が4nmより大きいとき,p型デバイスのオン状態電流が顕著であり,半導体(ITRS),2013バージョンの国際技術ロードマップの高性能要求を満たすことができることを示した。さらに,アンダーラップ(UL)構造がMOSFETで採用されるとき,ゲート長は3nmに低減でき,サブ閾値スイング,固有遅延時間,および電力消費も良好に機能した。計算結果は,MLMoSi_2N_4がポストシリコン時代のトランジスタチャネル材料の有望な代替になることを明らかにした。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  電流 ,  トランジスタ ,  半導体 ,  酸化物 ,  電力消費 ,  FET【トランジスタ】 ,  *MOSFET ,  二次元 ,  *ゲート【半導体】 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *量子輸送 ,  ゲート長 ,  二重ゲート ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層 ,  ゲート ,  MOSFET ,  量子輸送