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J-GLOBAL ID:202202253727411006   整理番号:22A0986817

ニッケル基板上の硫黄超構造によるグラフェン成長の強い抑制【JST・京大機械翻訳】

Strong suppression of graphene growth by sulfur superstructure on a nickel substrate
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 034007  発行年: 2022年 
JST資料番号: W3690A  ISSN: 2475-9953  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ニッケル基板上の多層グラフェンの形成は,通常,グラフェンの単層の成長後の冷却時の炭素の析出のために避けられない。Ni(110)表面上のグラフェンの成長速度は,表面がc([数式:原文を参照])周期性に配列された硫黄原子で覆われたときに顕著に減少することを見出した。走査型トンネル顕微鏡による原子論的調査は,グラフェン被覆領域の成長の結果として,硫黄超構造の圧縮を明らかにした。光電子発光顕微鏡法は,グラフェンの成長速度が時間と共に線形であり,炭素原子がグラフェン島の成長フロントでのみ供給されることを示した。密度汎関数理論計算はこれらの実験結果を合理化し,グラフェンの成長を抑制する機構を示唆した。硫黄原子は単層グラフェンまたはナノグラフェンの生成のためのニッケル基板の有用性を拡張できる。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  その他の無機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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