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J-GLOBAL ID：202202253727438363   整理番号：22A0445243

ミクロスフェアリソグラフィーによる裏面接触太陽電池のためのアノードおよび陰極層の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of anode and cathode layers for back-contact solar cells by microsphere lithography

著者 (3件)： Umatova Zarina (Department of Physics, Nazarbayev University, Nur-Sultan 010000, Kazakhstan) ,  Soltabayev Baktiyar (National Laboratory Astana, Nazarbayev University, Nur-Sultan 010000, Kazakhstan) ,  Jumabekov Askhat N. (Department of Physics, Nazarbayev University, Nur-Sultan 010000, Kazakhstan)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 49  号： P6  ページ： 2459-2463  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト太陽電池(PSC)のためのバックコンタクトデバイスアーキテクチャの概念は,従来のサンドイッチ型デバイスアーキテクチャを有するPSCの有望な代替である。PSCsのためのバックコンタクト電極を作製する最も便利で低コストの方法は,高価なフォトリソグラフィーツールとクリーンルーム環境なしで実行することができるので,ミクロスフェアリソグラフィーを使用する。カソード基板(SnO_2の薄層で覆われた導電性透明酸化物ガラス基板)の表面上のポリスチレンマイクロビーズの単分子層の堆積を自己集合プロセスを通して達成した。自己集合プロセスは,負に帯電したマイクロビーズと正に帯電したカソード表面の間の静電引力に基づいている。ポリスチレンマイクロビーズの自己組織化単分子膜を犠牲高分子マスクとして用いてカソードの上にアノード層を作製した。リフトオフプロセスを通して犠牲高分子マスクを除去した後,背面接触電極を得た。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  薄膜 ,  酸化物 ,  ポリスチレン ,  微粒子 ,  単分子層 ,  *リソグラフィー ,  クリーンルーム ,  計算機アーキテクチャ ,  フォトリソグラフィー ,  導電性 ,  自己集合 ,  *アノード ,  *カソード
準シソーラス用語： リフトオフ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バックコンタクト太陽電池 ,  準集積電極 ,  自己集合 ,  微小球リソグラフィー ,  犠牲高分子マスク

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 裏面接触 ,  太陽電池 ,  アノード ,  陰極 ,  作製