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J-GLOBAL ID：202202253872611696   整理番号：22A1210639

4H-SiC(0001)-Si面およびC面上SiO₂薄膜の真空熱脱離

著者 (4件)： 佐藤聖能 (弘前大 大学院) ,  室野優太 (弘前大 大学院) ,  喜多直人 (弘前大 大学院) ,  遠田義晴 (弘前大 大学院)
資料名： 日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集
巻： 2021 (CD-ROM)  ページ： 15-16  発行年： 2022年03月03日 
JST資料番号： F1026A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.SiC結晶は、その優れた物性からSiに代わるパワーデバイス用半導体材料として注目されている。Si結晶と同様に熱酸化によって表面にSiO2膜を形成できるため、MOS-FET構造が比較的容易に作製できる利点もあり、SiC表面熱酸化...【本文一部表示】

シソーラス用語： *真空 ,  *脱着 ,  電流 ,  熱分解 ,  *薄膜 ,  表面構造 ,  *ケイ素 ,  炭素 ,  半導体材料 ,  *炭化ケイ素 ,  *二酸化ケイ素 ,  スペクトル ,  ウエハ【IC】 ,  X線光電子分光法 ,  熱酸化

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  Si ,  SiO2 ,  薄膜 ,  真空 ,  熱脱離