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J-GLOBAL ID：202202254178300077   整理番号：22A0753048

ペロブスカイト酸化物における八面体回転歪により誘起された二次元強誘電性【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional ferroelectricity induced by octahedral rotation distortion in perovskite oxides

著者 (5件)： Zhou Ying (School of Materials Science and Physics, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, China) ,  Dong Shuai (School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China) ,  Shan Changxun (School of Materials Science and Physics, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, China) ,  Ji Ke (School of Materials Science and Physics, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, China) ,  Zhang Junting (School of Materials Science and Physics, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, China)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 105  号： 7  ページ： 075408  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)強誘電性は,van der Waals材料の単分子層における発見以来,大きな注目を集めている。ここでは,八面体回転歪により誘起された2D強誘電性が,第一原理計算によりペロブスカイト二重層系に広く存在することを示した。ペロブスカイト許容因子は,ペロブスカイト単分子層と二分子層の格子動力学と基底状態構造において重要な役割を果たし,このハイブリッド不適当な強誘電性をスクリーニングするための重要な指標を提供する。一般的に,斜方晶系双晶状態による強誘電スイッチングは,最も低いエネルギー障壁を持つ。エピタキシャル歪は,八面体回転と傾斜歪の振幅を変えることによって,強誘電性分極と強誘電スイッチングを効果的に調整することができる。圧縮歪の増加は,傾斜歪を抑制することによって極性から非極性への相転移を引き起こす。基板との界面での八面体歪の協同効果は,反転回転モードのエネルギー障壁を減少させ,最低エネルギー強誘電スイッチング経路を変えることができる。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  界面 ,  基底状態 ,  双晶 ,  相転移 ,  分極 ,  エネルギー ,  *酸化物 ,  単分子層 ,  *強誘電性 ,  計算 ,  斜方晶系 ,  *二次元
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  第一原理計算 ,  エネルギー障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ペロブスカイト ,  酸化物 ,  八面体 ,  誘起 ,  強誘電性