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J-GLOBAL ID：202202254188684091   整理番号：22A0497693

ZnOハニカム構造上のSi吸着原子の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of Si adatom on the ZnO honeycomb structure

著者 (2件)： Roohandeh Navid (Department of Physics, Islamic Azad University, Varamin-Pishva Branch, Varamin, Iran) ,  Alaei Hamid Reza (Department of Physics, Islamic Azad University, Varamin-Pishva Branch, Varamin, Iran)
資料名： Indian Journal of Physics  (Indian Journal of Physics)
巻： 96  号： 2  ページ： 441-451  発行年： 2022年 
JST資料番号： A1467A  ISSN： 0973-1458  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理平面波密度汎関数計算を行い,Si吸着有無のZnOのグラフェン状ハニカム単分子層の電子および光学特性を研究した。かなりの磁気モーメントを有する半金属特性のような興味深い物理的挙動をSi吸着後に明らかにし,吸着をZnOハニカム構造の官能化に適用することができる。次元効果を比較するため,三次元(バルク)ZnOに関する簡単な研究を実施し,その結果,2D単層ハニカム構造中のZnOは,その三次元構造と比較して極めて安定であることを見出した。また,全エネルギー計算から得られたこれらの安定性結果は,これらのグラフェン様構造が,それらのバンドギャップが修正Becke-Johnson(MBJ)補正によって増加するイオン,ワイドバンドギャップ半導体の間で分類できることを明らかにした。実施した計算は2つの関連領域を含んだ。(1)状態密度,バンド構造,凝集エネルギーおよび結合長さ,および(2)バンド間遷移およびバンド間吸収,誘電応答,光伝導率および電子エネルギー損失分光法を通して明らかにされた光学的性質,を明らかにした。Copyright Indian Association for the Cultivation of Science 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  *吸着 ,  磁気モーメント ,  *ケイ素 ,  *ハニカム構造 ,  単分子層 ,  *酸化亜鉛 ,  平面波 ,  状態密度 ,  二次元 ,  三次元 ,  官能化 ,  バンドギャップ ,  グラフェン
準シソーラス用語： 誘電応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ZnO ,  ハニカム ,  吸着 ,  DFT ,  バンド構造 ,  光学特性

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  ハニカム構造 ,  Si ,  吸着原子 ,  第一原理 ,  研究