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J-GLOBAL ID：202202254347306689   整理番号：22A0956931

単層遷移金属ジカルコゲナイドXTe_2(X=Mo及びW)の電子,フォノン及び光学特性に及ぼす歪の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of strain on the electronic, phonon, and optical properties of monolayer transition metal dichalcogenides XTe₂ (X = Mo and W)

著者 (11件)： Islam Md Rasidul (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, People’s Republic of China) ,  Islam Md Rasidul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Bangamata Sheikh Fojilatunnesa Mujib Science & Technology University (BSFMSTU), Jamalpur-2012, Bangladesh) ,  Mojumder Md Rayid Hasan (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna 9203, Bangladesh) ,  Mojumder Md Rayid Hasan (Department of Electrical and Electronic Engineering, Daffodil International University, Dhaka 1209, Bangladesh) ,  Moghal Biazid Kabir (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna 9203, Bangladesh) ,  Islam A S M Jannatul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna 9203, Bangladesh) ,  Miah Mohammad Raza (Solid State Functional Material Laboratory (SSFML), Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, Zhejiang, 315201, People’s Republic of China) ,  Roy Sourav (Department of Mechatronics Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna 9203, Bangladesh) ,  Kumar Anuj (Nano-Technology Laboratory, Department of Chemistry, GLA University, Mathura-142806, India) ,  Shihavuddin A S M (Department of Electrical and Electronic Engineering, Green University of Bangladesh (GUB), Dhaka 1207, Bangladesh) ,  Ashique Ratil H (Department of Electrical and Electronic Engineering, Green University of Bangladesh (GUB), Dhaka 1207, Bangladesh)
資料名： Physica Scripta  (Physica Scripta)
巻： 97  号： 4  ページ： 045806 (14pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0454B  ISSN： 0031-8949  CODEN： PHSTBO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,密度汎関数理論計算を用いて,単層遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)XTe_2(X=MoおよびW)の電子,フォノンおよび光学特性に対する二軸歪効果の系統的評価を提供した。MoTe_2とWTe_2に対して1.163eVと0.974eVの大きな直接バンドギャップを観測し,スピン-軌道結合環境において1.042eVと0.824eVに減少した。XTe_2構造は,適用した二軸歪の変化で調整可能なバンドギャップを示した。反転対称性の破れにより,大きなスピン-谷結合は,適用した二軸歪下でMoTe_2とWTe_2単分子層の両方に対して価電子帯エッジで現れた。異なる二軸歪を有するフォノン特性は,単層MoTe_2がWTe_2構造より安定であることを明らかにした。計算した光学特性は,MoTe_2とWTe_2の誘電率と吸収係数が圧縮歪が増加するとより高い光子周波数に移動することを示した。一方,引張歪の増加と共に,計算した光学特性において赤方偏移挙動が認められ,異なる赤外および可視光光学応用に対するXTe_2単分子層の適合性を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  *光学的性質 ,  赤外線 ,  赤方偏移 ,  *電子 ,  *フォノン ,  誘電率 ,  単分子層 ,  可視光 ,  価電子バンド ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  引張歪 ,  二軸ひずみ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  電子 ,  フォノン ,  光学特性 ,  歪