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J-GLOBAL ID：202202254394573623   整理番号：22A0549600

n型4H-SiCへの炭素の熱注入による炭素格子間原子関連欠陥準位の形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of carbon interstitial-related defect levels by thermal injection of carbon into n-type 4H-SiC

著者 (4件)： Karsthof Robert (Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway) ,  Etzelmueller Bathen Marianne (Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway) ,  Kuznetsov Andrej (Department of Physics, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway) ,  Vines Lasse (Department of Physics, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 3  ページ： 035702-035702-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCの点欠陥の電気的性質は広く研究されているが,炭素格子間原子(C_i)に関連するものはこれまで理解されていなかった。実際,イオン照射または注入により導入されたとき,深い準位過渡分光法で観察されたC_iに関連するシグネチャは,他の一次欠陥のそれらと重複する傾向があり,C_i関連レベルの直接同定を困難にする。最近の文献は,異なる構成におけるC_i欠陥の電荷状態遷移に対して,しばしば照射された4H-SiCで見出されるいわゆるM中心を割り当てることを示唆している。本研究では,炭素源として作用する試料表面の熱分解炭素キャップを用いて,熱アニールにより,低ドープn型150μm厚さの4H-SiCエピ層へ過剰炭素を導入した。層が最初に低濃度の炭素空孔([V_C]=1011cm)を示すので,これは完全なV_C消滅と過剰な炭素,すなわち,炭素格子間原子C_iとそれらの高次錯体による欠陥の形成の研究を可能にした。C_i関連であるC注入におけるいくつかの新しいレベルの発生について報告する。それらの特性はM中心に対して見出されたものとは異なっており,検出したレベルの異なる微視的同一性を指摘した。これは,豊富なC_i関連欠陥の存在を示唆する。本研究はまた,炭素注入プロセス中のV_C消滅の微視的プロセスへの新しい洞察を生み出すのに役立つであろう。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空格子点 ,  電荷 ,  点欠陥 ,  欠陥 ,  電気的性質 ,  *炭素 ,  *炭化ケイ素 ,  ドーピング ,  *格子間原子 ,  イオン照射 ,  *欠陥準位 ,  深い準位
準シソーラス用語： 炭素源 ,  *4H-SiC ,  熱アニーリング ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  炭素 ,  注入 ,  格子間原子 ,  欠陥準位