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J-GLOBAL ID：202202254931801886   整理番号：22A0844692

廃水からのヒ素(III)とヒ素(V)の選択的除去のためのイオンインプリントベース磁性ナノ粒子の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of ion imprinted based magnetic nanoparticles for selective removal of arsenic (III) and arsenic (V) from wastewater

著者 (4件)： Tuerkmen Deniz (Department of Chemistry, Hacettepe University, Ankara, Turkey) ,  OEzkaya Tuerkmen Melike (Division of Nanotechnology and Nanomedicine, Hacettepe University, Ankara, Turkey) ,  Akgonuellue Semra (Department of Chemistry, Hacettepe University, Ankara, Turkey) ,  Denizli Adil (Department of Chemistry, Hacettepe University, Ankara, Turkey)
資料名： Separation Science and Technology  (Separation Science and Technology)
巻： 57  号： 6  ページ： 990-999  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0435B  ISSN： 0149-6395  CODEN： SSTEDS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ヒ素除去のための磁性イオン刷込高分子(IIP)を作製した。イオンインプリント法を,鋳型分子としてN-メタクリロイル-L-システイン(MAC)単量体とAs(III)とAs(V)を錯化することによって開発した。MAC-As錯体の利用を,IIP上のAs(III)とAs(V)の再結合を提供するために選択した。脱着剤として0.05%チオ尿素溶液を含む0.01MHNO_3を用いてテンプレート分子を除去した。As(III)とAs(V)の吸着は,除去能力で120分間,緩衝溶液pH5.0で理想的であった。イオンインプリントベースの磁性ナノ粒子は他の類似体(NO_3-,PO_43-,SO_42-,アニオンとして,AsO_2-,HAsO_4-,オキシアニオン)に対してヒ素に対して選択的であった。吸着等温式モデルは,Langmuirモデルに適合し,As(III)-IIP磁性ナノ粒子と99.0mg/gAs(V)-IIPナノ粒子について,それぞれ,0.9935~0.9118のR2値と91.7mg/gのQ_max値であった。最後に,IIPベースの磁性ナノ粒子吸着剤を廃水試料からの効果的なヒ素除去に成功裏に利用した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  脱着 ,  *廃水 ,  *ヒ素 ,  錯体生成 ,  吸着剤 ,  単量体 ,  アニオン ,  刷込 ,  *磁性 ,  吸着等温式 ,  *ナノ粒子
準シソーラス用語： オキシアニオン ,  *磁性ナノ粒子 ,  ヒ素除去 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヒ素除去 ,  磁性ナノ粒子 ,  イオン刷込高分子 ,  ナノ技術 ,  廃水

分類 (2件)： 各種物理的手法  (CC01030W) ,  吸着剤  (YB03000W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 廃水 ,  ヒ素 ,  磁性ナノ粒子 ,  開発