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J-GLOBAL ID：202202255009007524   整理番号：22A0433625

室温光ルミネセンスによるSi系GeSn量子ドットの制御可能な合成【JST・京大機械翻訳】

Controllable synthesis of Si-based GeSn quantum dots with room-temperature photoluminescence

著者 (9件)： Zhang Lu (Semiconductor Photonics Research Center, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Hong Haiyang (Semiconductor Photonics Research Center, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Qian Kun (Semiconductor Photonics Research Center, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Wu Songsong (Semiconductor Photonics Research Center, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Lin Guangyang (Semiconductor Photonics Research Center, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Wang Jianyuan (Semiconductor Photonics Research Center, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Huang Wei (Semiconductor Photonics Research Center, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Chen Songyan (Semiconductor Photonics Research Center, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China) ,  Li Cheng (Semiconductor Photonics Research Center, Department of Physics, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, People’s Republic of China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 579  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeSn量子ドット(QDs)はGeSnレーザの性能を改善するための有望な材料と考えられている。しかし,GeSn QDを調製するための相補的金属-酸化物半導体(CMOS)互換法を開発することは,現在の主なボトルネックである。本研究では,CMOS互換法におけるGeSn QDの合成のための高度に制御可能な方法を示した。超高面積密度2.1×1012cm-2,高Sn分率44.2%,GeSn QDの狭い分布サイズを得た。さらに,吸収および室温光ルミネセンススペクトルから明らかな量子閉じ込め効果を観測した。GeSn QDの特性は,単に調製温度の調整によって制御することができた。さらに,GeSn QDの合成機構を包括的に解析し,古典的核形成理論と第一原理計算を用いて明らかにした。高い可制御性を有する実現可能でCMOS互換法は,高効率Siベース発光材料を得るための有望な方法を提供し,SiSn,SiGeSn,SiPb,およびGePbのような他のグループIV合金にさらに応用できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  *光ルミネセンス ,  可制御性 ,  *ケイ素 ,  *量子ドット ,  量子閉込め ,  CMOS
準シソーラス用語： 高効率 ,  第一原理計算 ,  酸化物半導体 ,  発光材料 ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GeSn量子ドット ,  室温光ルミネセンス ,  シリコンフォトニクス ,  量子閉込め効果

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 室温 ,  光ルミネセンス ,  Si ,  量子ドット