Al/(GO:PTCDA)/p-Si構造の照明依存電気およびフォトダイオード特性の性能【JST・京大機械翻訳】

Karatas Suekrue; Karatas Suekrue; Berk Niyazi

文献

J-GLOBAL ID：202202255094332218 整理番号：22A1116937

Al/(GO:PTCDA)/p-Si構造の照明依存電気およびフォトダイオード特性の性能【JST・京大機械翻訳】

Performance of the illumination dependent electrical and photodiode characteristic of the Al/(GO:PTCDA)/p-Si structures

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資料名：
巻： 126 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： W0468A ISSN： 0925-3467 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

本研究では,ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)と酸化グラフェン(GO)界面を有するAl/p-Si金属半導体(MS)構造を作製した。PTCDAとGO有機半導体粉末構造の形態を走査電子顕微鏡(SEM)で調べた。理想因子(n),整流比(RR),飽和電流(I_0)および障壁高さ(Φ_bo)のような主な値をI-V特性から抽出し,種々の照明条件における熱電子放出(TE)理論によって詳細に議論した。Al/(GO:PTCDA)/p型Si光ダイオード構造の照明依存性フォトダイオードと光応答性特性を,室温(300K)で20mWcm-2の増分によって,暗,室温,および種々の光強度における電流電圧(I-V)特性を用いて,20~100mWcm-2の照明範囲で調べた。製造したフォトダイオードは良好な整流特性を有したが,整流比(RR)の値は光パワー強度が増加するにつれて低下した。その結果,フォトダイオードは線形光電流(I_ph),優れた検出性及び応答性を示した。さらに,n,I_0,Φ_bo,V_oc,I_sc,およびP_maxのようないくつかの基本的な電気的および光起電的値は,100mW/cm2光強度の下で,それぞれ5.82,7.64×10-7A,0.624eV,0.33V,2.24×10-5Aおよび3.41×10-6Wとして得られた.。”,n,I_0,Φ_bo,V_oc,I_sc,およびP_maxは,それぞれ,5.82,7.64x10-7A,0.624eV,0.33V,2.24x10-5Aおよび3.41x10-6Wであった。従って,実験研究は,Al/PTCDA:GO/p-Siフォトダイオード構造がフォトダイオード応用のために改良できることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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有機化合物のルミネセンス , 太陽電池 , 光導電素子 , 高分子固体の物理的性質

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