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J-GLOBAL ID：202202255174382834   整理番号：22A0553479

強誘電体共重合体ゲート誘電体を横切る低電圧パルス化による反強磁性La_0.35Sr_0.65MnO_3の変調【JST・京大機械翻訳】

Modulating Antiferromagnetic La_0.35Sr_0.65 MnO₃ via Low-Voltage Pulsing Across a Ferroelectric Copolymer Gate Dielectric

著者 (9件)： Zhao Xu Wen (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Wong Hon Fai (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Liu Yu Kuai (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Ng Sheung Mei (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Liang Jing Ming (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Lam Ka Kin (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Cheng Wang Fai (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Mak Chee Leung (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Leung Chi Wah (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 58  号： 2  ページ： ROMBUNNO.4200205.1-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電場ベースの変調は超高速で高密度の反強磁性スピントロニクスを実現する有望な方法である。ここでは,反強磁性La_1-xSr_xMnO_3(x=0.65)(AF-LSMO)薄膜の低電圧パルス変調を調べた。正の電圧パルスは低温で抵抗を増加させることができ,これは正の電圧パルスにより誘起された酸素空孔に起因する。この効果はX線光電子分光法(XPS)の結果によって支持された。低電圧パルスを用いて,強磁性La_0.7Sr_0.3MnO_3(FM-LSMO)/AF-LSMO二層構造における交換バイアス変調を実証した。温度依存抵抗,交換バイアス場および保磁力はすべて電圧-極性依存性を示した。正のパルスはAF-LSMOの著しい変化を誘起するが,負のパルスは影響がほとんどなく,種々の電気化学反応系で観察される酸素空孔関連プロセスと一致する。著者らの知見は,反強磁性スピントロニクスの電場修正を探索する可能性を見つけることができる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強磁性 ,  *強誘電体 ,  保磁力 ,  低温 ,  *電圧 ,  電場 ,  *反強磁性 ,  温度依存性 ,  *パルス ,  *パルス化 ,  スピントロニクス ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 交換バイアス ,  *パルス電圧 ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電磁機器  (NB10030C) ,  電動機  (NB07030U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 強誘電体 ,  共重合体 ,  ゲート誘電体 ,  低電圧 ,  パルス化 ,  反強磁性 ,  変調