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J-GLOBAL ID：202202255212427981   整理番号：22A0972344

効率的な光触媒H_2発生のためのSnNb_2O_6/NiドープZnIn_2S_4S-スキームヘテロ接合を調節する内部および表面相乗的修飾【JST・京大機械翻訳】

Interior and Surface Synergistic Modifications Modulate the SnNb₂O₆/Ni-Doped ZnIn₂S₄ S-Scheme Heterojunction for Efficient Photocatalytic H₂ Evolution

著者 (7件)： Li Chunxue (Institute of Green Chemistry and Chemical Technology, Advanced Chemical Engineering Laboratory of Green Materials and Energy of Jiangsu Province, School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, China) ,  Liu Xiaoteng (Institute of Green Chemistry and Chemical Technology, Advanced Chemical Engineering Laboratory of Green Materials and Energy of Jiangsu Province, School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, China) ,  Ding Guixiang (Faculty of Chemistry and Chemical Engineering, Liaoning Normal University, China) ,  Huo Pengwei (Institute of Green Chemistry and Chemical Technology, Advanced Chemical Engineering Laboratory of Green Materials and Energy of Jiangsu Province, School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, China) ,  Yan Yan (Institute of Green Chemistry and Chemical Technology, Advanced Chemical Engineering Laboratory of Green Materials and Energy of Jiangsu Province, School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, China) ,  Yan Yongsheng (Institute of Green Chemistry and Chemical Technology, Advanced Chemical Engineering Laboratory of Green Materials and Energy of Jiangsu Province, School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, China) ,  Liao Guangfu (Engineering Research Center of Nano-Geomaterials of Ministry of Education, China University of Geosciences, China)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 61  号： 11  ページ： 4681-4689  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 内部および表面相乗的修飾は,原子レベルで調整された光生成キャリア流と光触媒反応を与えることができる。ここでは,新しいクラスの2D/2D SnNb_2O_6/NiドープZnIn_2S_4(SNO/Ni-ZIS)S-スキームヘテロ接合を簡単な水熱戦略により合成し,内部と表面修飾の間の相乗作用を評価した。理論計算は,S-スキームヘテロ接合が,迅速なH_2発生のためにH原子の脱着を促進することを示した。結果として,25%のSNO/Ni_0.4-ZISは,可視光下で著しく改善されたPHE活性を示し,単一ZISおよびNi_0.4-ZISよりも,それぞれ,約4.49および2.00倍強かった。さらに,25%SNO/Ni_0.4-ZISも優れた構造安定性を示した。本研究は,光触媒設計から機構的洞察までの高性能Sスキームシステムの開発に対する先進的な洞察を提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  光生成 ,  相乗作用 ,  *ドーピング ,  可視光 ,  光触媒反応 ,  *光触媒 ,  触媒設計 ,  表面改質
準シソーラス用語： 構造安定性 ,  理論計算 ,  水素原子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 遷移金属錯体一般  (CE01040N) ,  鉄族元素の錯体の結晶構造  (BK09040I) ,  配位化合物の結晶構造一般  (BK09001H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光触媒 ,  Ni ,  ドープ ,  スキーム ,  ヘテロ接合 ,  調節 ,  修飾