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J-GLOBAL ID:202202255380193514   整理番号:22A1081891

狭バンドギャップ半導体La/Ni修飾KNbO_3強誘電体における可視光光触媒水素生成と高磁場ポーリングによる更なる増強【JST・京大機械翻訳】

Visible-light photocatalytic hydrogen production in a narrow-bandgap semiconducting La/Ni-modified KNbO3 ferroelectric and further enhancement via high-field poling
著者 (11件):
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巻: 10  号: 13  ページ: 7238-7250  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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優れたUV光触媒を示す従来のワイドバンドギャップ酸化物強誘電体と比較して,狭バンドギャップ半導体強誘電体は可視光光触媒の分野で広い応用展望を示す。しかし,多くの半導体強誘電体における強誘電性の著しい電流漏れと弱化のため,光触媒活性をさらに高めるための外部電場による高磁場ポーリングの確立は難しい。したがって,このような材料の半導体と強誘電性のバランスは,挑戦的である。ここでは,La/Ni修飾KNbO_3,すなわち,x=0.00~0.04の(1-x)KNbO_3-xLaNiO_3-δの新しい可視光駆動半導体強誘電性光触媒を焼結により成功裏に調製した。従来のワイドバンドギャップKNbO_3強誘電体と同様に,半導体強誘電体も,模擬太陽光(1169.7μmol g-1h-1)下で優れた光触媒水素発生(PHE)速度を示した。0.99KNbO_3-0.01LaNiO_3-δ組成は可視光PHE活性(40.1μmol g-1h-1)を示す。さらに,室温の半導体強誘電体は,高い外部電場下でまだ分極でき,0.99KNbO_3-0.01LaNiO_3-δの可視PHE速度は,高磁場ポーリングにより16倍(642.0μmol g-1h-1)増加した。改質系で観察されたこの顕著な可視PHE速度は,1.45~1.24eVの非常に狭いバンドギャップと,高磁場ポーリングによるキャリア分離効率の増強と関連していた。本研究は,優れた可視光活性と半導体強誘電体の分極機構への洞察を有する強誘電体ベースの酸化物光触媒を設計するための実行可能な解決策を提供する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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光化学反応 

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