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J-GLOBAL ID：202202255401223735   整理番号：22A0287744

450°CでCzochralskiシリコン中に形成された熱ドナーと酸素析出物の光ルミネセンス分光【JST・京大機械翻訳】

Photoluminescence Spectroscopy of Thermal Donors and Oxygen Precipitates Formed in Czochralski Silicon at 450 °C

著者 (5件)： Siriwardhana Manjula (School of Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Rougieux Fiacre (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia) ,  Basnet Rabin (School of Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Nguyen Hieu T. (School of Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Macdonald Daniel (School of Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 12  号： 1  ページ： 222-229  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 450°Cで焼なましたCzochralski成長シリコンウェハ中の80Kで光ルミネセンススペクトルを測定し,熱ドナーと酸素析出物発生を引き起こした。6つのサブバンドギャップルミネセンスピークがアニーリング後に同定された。1206nmに中心を持つ1つのピークは,抵抗率の変化によって測定される熱ドナー濃度に対する類似の時定数と共に増加することが分かった。他の5つのピークは,酸素沈殿物(OPs)またはそれらの核の形成に関係することを提案した。これらのピークは,熱ドナー消滅(TDA)段階後に残るが,1206nmピークは消失した。これは,OPの成長が低温で熱ドナーの成長と同時に起こるという以前の観察と一致する。熱ドナーの消滅は格子間酸素濃度の不完全な回復をもたらし,析出物の形成と一致した。アニーリング中に形成した再結合活性リング欠陥もTDA後に残った。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *析出物 ,  低温 ,  電気抵抗率 ,  *ドナー ,  *光ルミネセンス ,  *ルミネセンス ,  *酸素 ,  時定数 ,  沈殿物
準シソーラス用語： 酸素濃度 ,  シリコンウエハ ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ドナー ,  酸素 ,  析出物 ,  光ルミネセンス ,  分光