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J-GLOBAL ID：202202255681323527   整理番号：22A1072988

高分子添加剤で加工性を改善した金属援用エッチングによるSiの微細加工

Si Microfabrication by Metal Assisted Chemical Etching with Improved Processability Using Polymer Additive

著者 (7件)： 佐野光雄 (東芝 生産技セ) ,  小幡進 (東芝 生産技セ) ,  田嶋尚之 (東芝 生産技セ) ,  浮田康成 (東芝 生産技セ) ,  樋口和人 (東芝 生産技セ) ,  松本歩 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  八重真治 (兵庫県大 大学院工学研究科)
資料名： Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics  (Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics)
巻： 28th  ページ： 173-178  発行年： 2022年02月01日 
JST資料番号： L2496A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・Siの微細加工方法として反応性イオンエッチング(RIE)が用いられているが,生産性が低いため,バッチ式で一括加工が可能なウェットエッチング法の金属援用エッチング(MACE)法に着目。
・MACEにより高アスペクト比の加工を可能にしたが,加工面に微細な穴状の欠陥(形状欠陥)が発生する場合があり,本研究では,MACE反応機構を基に形状欠陥の発生モデルを推定し,その発生を抑制。
・Si表面にAu触媒を形成する際,触媒周辺にAuの拡散領域が生じ,エッチング液中で拡散領域においてMACEが進み,形状欠陥が発生。
・エッチング液にアミン系高分子添加剤を加えることで,形状欠陥が大幅に減少。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *微細加工 ,  *ウェットエッチング ,  RIE【エッチング】 ,  アスペクト比 ,  表面欠陥 ,  反応機構 ,  遷移金属触媒 ,  添加剤 ,  拡散 ,  トレンチカット【加工】 ,  溶解速度
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *シリコン ,  金属援用エッチング ,  高アスペクト比エッチング ,  高アスペクト比 ,  金触媒

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (10件)：

• Yusaku Asano, Keiichiro Matsuo, Hisashi Ito, Kazuhito Higuchi, Kazuo Shimokawa, Tsuyoshi Sato,“A Novel Wafer Dicing Method Using Metal-Assisted Chemical Etching”, Proc. Electronic Components and Technology Conference, (2015), pp.853-858.
• 松本歩,人重真治,“金属援用エッチングによるポーラスシリコンの形成”,表面技術,69,12,(2018),pp.88-92.
• 浅野佑策,松尾圭一郎,樋口和人,“貴金属触媒エッチングによりシリコンウェーバ全面の一括加工を可能にするケミカルダイシング技術”,東芝レビュー,1,2,(2016),pp.31-34.
• 松尾圭一郎,土持鷹彬,樋口和人,下川一生,佐藤強,中村功,藤谷忠博,“ケミカルダイシングの実現に向けたMetal Assisted Chemical Etching反応機構の研究”,第26回マイクロエレクトロニクスシンポジウム,(2016),pp.87-90.
• Susumu Obata, Mitsuo Sano, Kazuo Shimokawa, Kazuhito Higuchi,“A Novel Fabrication Process for High Density Silicon Capacitors by using Metal-Assisted Chemical Etching”, Proc. International Symposium on Microelectronics, (2019), pp.248-253.

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分子 ,  添加剤 ,  加工性 ,  援用 ,  エッチング ,  Si ,  微細加工