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J-GLOBAL ID：202202255837824182   整理番号：22A0649500

Cu_2O/ZnOヘテロ接合光検出器の光キャリア挙動の構造的解明【JST・京大機械翻訳】

Structurally Unraveling the Photocarrier Behavior of Cu₂O/ZnO Heterojunction Photodetectors

著者 (9件)： Zhong Shen (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, P. R. China) ,  Xiong Da (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, P. R. China) ,  Zhang Binbin (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, P. R. China) ,  Yang Xiao (School of Electrical Engineering, Southwest Jiaotong University, P. R. China) ,  Yang Tao (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, P. R. China) ,  Tian Guo (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, P. R. China) ,  Zhang Hongrui (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, P. R. China) ,  Yang Weiqing (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, P. R. China) ,  Deng Weili (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, P. R. China)
資料名： ACS Photonics  (ACS Photonics)
巻： 9  号： 1  ページ： 268-274  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5045A  ISSN： 2330-4022  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体における光電変換は光検出器(PD)の基礎であり,光キャリア挙動の解明はPDの性能の設計と増強に不可欠である。ここでは,自己出力Cu_2O/ZnOヘテロ接合PDにおける光キャリアの生成と輸送挙動を実験的に明らかにした。機能層の厚さは,光キャリア生成と輸送を決定する主要な因子であり,すなわち,キャリアの輸送は内部欠陥の増大によって妨げられ,劣化因子になる。ZnOナノロッドの長さを調整することにより,構造的に設計したPDは,0Vバイアスで450nm光照射の下で45.74mA/Wの高い応答性を示し,それは準平面のものより5.75倍大きかった。さらに,PDは高速応答速度(5.5msの立ち上がり時間と5.9msの減衰時間)と長期安定性を示し,空気中で30日後の光電流の3%の劣化を示した。本研究は,p-n接合ベースPDの内部光電変換機構を理解するための光キャリア挙動の微視的展望を提供し,高効率自己出力光検出器の実用化をさらに促進することができた。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  応答 ,  光電流 ,  接合 ,  半導体 ,  *光検出器 ,  応答特性 ,  光照射 ,  *酸化亜鉛 ,  *キャリア ,  キャリア生成
準シソーラス用語： 光電変換 ,  高効率 ,  高速応答 ,  立上り時間 ,  酸化亜鉛ナノロッド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ZnOナノロッド ,  Cu_2O ,  長さ ,  欠陥 ,  光検出器 ,  光キャリア挙動

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  ヘテロ接合 ,  光検出器 ,  光キャリア ,  挙動