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J-GLOBAL ID：202202255866375694   整理番号：22A1047756

バナジウム修飾ジビスマステトラ酸化物薄膜;合成,キャラクタリゼーションおよび特性【JST・京大機械翻訳】

Vanadium modified di-bismuth tetra-oxide thin films; synthesis, characterization and properties

著者 (5件)： Kayani Zohra Nazir (Lahore College for Women University, Lahore, 54000, Pakistan) ,  Altaf Aiman (Lahore College for Women University, Lahore, 54000, Pakistan) ,  Sagheer Riffat (Lahore College for Women University, Lahore, 54000, Pakistan) ,  Riaz Saira (Centre of Excellence in Solid State Physics, University of the Punjab, Lahore, 54590, Pakistan) ,  Naseem Shahzad (Centre of Excellence in Solid State Physics, University of the Punjab, Lahore, 54590, Pakistan)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 282  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ゾル-ゲルディップコーティング法により合成したバナジウムドープBi_2O_4薄膜の構造的,光触媒的,誘電的,光学的および抗菌性について報告した。すべてのサンプルで異なる官能基が,異なる波数でFTIRによって同定された。X線回折(XRD)研究は,単斜晶Bi_2O_4相の存在を確認した。Bi_2O_4中のVドーピング後,格子定数の減少を伴う微結晶サイズの僅かな変化が観測された。すべての膜についてSEMマイクログラフによりほぼ球状の形態を確認した。UV-VIS-NIR分光法の結果は,NH_4VO_3の0-3wt%に対して2.0から1.8eVまでのBi_2O_4のバンドギャップの減少を示し,一方,それはNH_4VO_3の4~5wt%からのドーピングの増加に伴って増加した。さらに,ドーピングはBi_2O_4の光触媒特性を高めた。VドープBi_2O_4の観察された誘電特性はバナジウムドーピングに由来すると仮定した。V存在下のBi_2O_4は,Staphylococcus Aureus(S.Aureus),Pseudomonas aeruginosa(P.aeruginosa),Klebsiella Pneumoniae(K.Pneumoniae)および大腸菌(E.coli)に対する阻害を示した。Bi_2O_4ナノ構造中のV不純物はBi_2O_4の電力酸化を促進し,抗菌活性を改善した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *酸化 ,  微結晶 ,  *薄膜 ,  不純物 ,  *バナジウム ,  大腸菌 ,  誘電性 ,  ドーピング ,  ぶどう球菌属 ,  単斜晶系 ,  光触媒 ,  ナノ構造 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 官能基 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： バナジウム ,  単斜晶 ,  バンドギャップ ,  光触媒 ,  抗菌薬 ,  AC伝導率

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： バナジウム ,  修飾 ,  酸化物薄膜 ,  キャラクタリゼーション