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J-GLOBAL ID：202202256077582257   整理番号：22A0478134

PbSnSiS_4の非中心対称構造変換と非線形光学特性に対する部分同族体置換誘起中心対称【JST・京大機械翻訳】

Partial congener substitution induced centrosymmetric to noncentrosymmetric structural transformation and nonlinear optical properties of PbSnSiS₄

著者 (9件)： Zhou Jiazheng (CAS Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, CAS, Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, China) ,  Luo Ling (CAS Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, CAS, Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, China) ,  Chu Yu (CAS Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, CAS, Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, China) ,  Chu Yu (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Peng (CAS Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, CAS, Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, China) ,  Guo Zhiyong (Xuchang Quality and Technical Supervision, Inspection and Testing Center, National Quality Supervision and Inspection Center for Ceramic Products of China, West Section of Longxing Road, Dongcheng District, Xuchang 461000, China) ,  Su Xin (CAS Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, CAS, Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, China) ,  Li Junjie (CAS Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, CAS, Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, China) ,  Li Junjie (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 899  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0≦x≦2のPb_xSn_2-xSiS_4系列を調べ,部分同族体カチオン置換が構造と性質に及ぼす影響を調べた。中心対称(CS)P2_1/c空間群に結晶化する中心対称(CS)化合物Pb_2SiS_4とSn_2SiS_4が以前に報告されているが,部分同族体カチオン置換がこのシステムで非中心対称(NCS)構造変換にCSを誘起し,生成したNCS置換変異体PbSnSiS_4を初めて導入した。PbSnSiS_4はセルパラメータa=6.4334(8)ÅでP2_1空間群で結晶化する;b=6.6912(8)Å,c=8.5037(10)Å,β=108.576(4)°,Z=2。標題化合物は,強い第二高調波発生(SHG)応答(λ>1.1×AgGaS_2),高レーザ誘起損傷閾値(LIDT)(λ>3×AgGaS_2),および0.58から16.85μm(ゼロまで)の広いIR透明領域を示した。さらに,PbSnSiS_4は,良好な結晶成長習慣を示し,自発的結晶化法で,ミリメートルスケールの単結晶(2×1mm3)が得られた。理論計算は,光学バンドギャップがPb_2SiS_4(1.94eV),PbSnSiS_4(1.82eV)からSn_2SiS_4(1.69eV)へのSn含有量の増加とともに減少することを示した。結果は,同族体カチオン置換戦略による新しいNCS化合物の探索への洞察を与えた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空間群 ,  結晶化 ,  結晶成長 ,  *対称性 ,  単結晶 ,  非線形光学 ,  *スズ ,  硫化物 ,  カチオン ,  光学ギャップ ,  第二高調波発生
準シソーラス用語： 理論計算 ,  *非線形光学特性 ,  レーザ損傷閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非線形光学 ,  第二高調波発生 ,  部分置換 ,  構造変換 ,  硫化物

分類 (4件)： 金属の結晶構造  (BK06000V) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  磁気的性質  (WB02020J) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 対称 ,  非線形光学特性 ,  同族体 ,  置換 ,  誘起