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J-GLOBAL ID：202202256187612113   整理番号：22A1094832

一段階共蒸発法によるCZTS薄膜と太陽電池の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of CZTS thin films and solar cells via single-step Co-evaporation method

著者 (8件)： Zhi Zong (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Zhi Zong (Department of Physics, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, 999077, Hong Kong) ,  Wang Shijin (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Wang Shijin (Department of Physics, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, 999077, Hong Kong) ,  Huang Lan (Department of Physics, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, 999077, Hong Kong) ,  Li Jianmin (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Xiao Xudong (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Xiao Xudong (Department of Physics, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, 999077, Hong Kong)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 144  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去数年の間に達成された顕著な増強にもかかわらず,CZTSの光起電力性能は理論期待値よりはるかに低い。吸収体自体の側面において,大きなブレークスルーを内部的に行う必要があり,製作戦略の重要性を示した。したがって,本研究は,CIGSに対して本質的に成功し,同時にオンサイト堆積と膜成長プロセスのかなり手ごろしい制御を達成するために,単一ステップ共蒸発法を採用した。これに基づき,著者らは,ZnS偏析が,微妙な成長プロファイル修正により緩和できることを示した。直列抵抗と変換効率の変化に従って,ZnSから生じるキャリア輸送ブロッキング挙動は明らかに減少する。さらに,化学平衡が有利にシフトし,CZTSの分解が抑制されるように,Sn含有揮発性相の実質的な制御を達成し,参照に比べて著しく改善された光起電力性能をもたらした。4.3%の電力変換効率が608mVのかなりの開回路電圧で達成された。本研究の結果は,単一ステップ共蒸発法の利便性と共に,その可能性を検証した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  光起電力 ,  *蒸発 ,  *太陽電池 ,  *薄膜 ,  偏析 ,  スズ ,  *硫化物 ,  硫化亜鉛 ,  *スズ化合物 ,  *銅化合物 ,  ブロッキング ,  *亜鉛化合物 ,  薄膜成長 ,  吸収体
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  直列抵抗 ,  開回路電圧 ,  *CZTS ,  電力変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 共蒸発法 ,  CZTS ,  太陽電池 ,  二次相

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 段階 ,  蒸発 ,  CZTS ,  薄膜 ,  太陽電池 ,  作製