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J-GLOBAL ID：202202256344680224   整理番号：22A0452694

多孔質シリコン上のスピン被覆LaF_3薄膜の構造的および電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Structural and Electrical Properties of Spin-Coated LaF₃ Thin Film on Porous Silicon

著者 (4件)： Rahman Md. Hafijur (Department of Physics, Pabna University of Science and Technology, Pabna, Bangladesh) ,  Ahmmed Shamim (Solar Energy Laboratory, Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Rajshahi, Rajshahi, Bangladesh) ,  Ahmmed Shamim (Department of Electrical and Electronic Engineering, North Bengal International University, Rajshahi, Bangladesh) ,  Ismail Abu Bakar Md. (Solar Energy Laboratory, Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Rajshahi, Rajshahi, Bangladesh)
資料名： Journal of Materials Engineering and Performance  (Journal of Materials Engineering and Performance)
巻： 31  号： 1  ページ： 461-470  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0161B  ISSN： 1059-9495  CODEN： JMEPEG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ化ランタン(LaF_3)のような希土類ハライドは,センサや光学デバイスに広く使用されている材料である。一般的に,ヘテロ構造デバイスを作るためにLaF_3薄膜のエピタキシャル堆積に種々の精巧で高価な技術を使用した。LaF_3膜を堆積する容易な方法を見つけるため,この報告は,多孔質シリコン(PS)基板上に,塩化ランタン(LaCl_3)をフッ化水素酸(HF)と直接反応させることにより,多孔質シリコン基板上へのLaF_3薄膜の堆積を示す。エネルギー分散X線分光(EDS)およびX線回折(XRD)分析により,ほぼ化学量論的および多結晶LaF_3を確認した。走査電子顕微鏡(SEM)により,亀裂の無い均一な形態構造を確認した。容量-電圧(C-V)と電流-電圧(I-V)特性から,スピン被覆LaF_3/PS構造が,それぞれ,ダイオードの性質と同様に,容量性を示すことが観察された。実験結果から,フッ化ランタンは,スピンコーティング法によりPSの上だけでなく細孔中に堆積でき,PSの必要な不動態化を提供すると結論できる。この不動態化は,PSを電子デバイス作製のための重要な材料とみなすことができる。図式図はCopyright ASM International 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  エピタクシー ,  亀裂 ,  走査電子顕微鏡 ,  ダイオード ,  電圧 ,  電流 ,  *薄膜 ,  不動態化 ,  多結晶 ,  直接反応 ,  *スピンコーティング ,  *多孔質シリコン
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  フッ化ランタン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子デバイス ,  フッ化ランタン(LaF_3) ,  多孔質シリコン ,  スピンコーティング

分類 (2件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  医用素材  (GA05040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多孔質シリコン ,  スピン被覆 ,  薄膜 ,  電気的性質