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J-GLOBAL ID：202202256429872893   整理番号：22A0428976

グラフェンナノ材料の電子構造特性とLiおよびNa貯蔵容量に及ぼすNドーピングの影響:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

The effect of N-doping on the electronic structure property and the li and Na storage capacity of graphene nanomaterials: A first-principles study

著者 (2件)： Tsai Yu-Jen (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, No. 1, Sec. 4, Roosevelt Rd., Taipei 10617, Taiwan) ,  Kuo Chin-Lung (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, No. 1, Sec. 4, Roosevelt Rd., Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 403  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を行い,グラフェンナノ材料の電子構造特性とLi/Na貯蔵挙動に及ぼすNドーピングの影響を調べた。著者らの計算は,Nドーピング処理がグラフェン中のC空格子点欠陥の数を効果的に増加でき,C空格子点上のLi/Na原子の吸着エネルギーが,空格子点サイトでのピリジン/ピロール-N原子の増加により大きく増強されることを明らかにした。しかし,C空格子点欠陥の可逆的Li/Na容量はNのドーピングレベルの増加により大きく減少し,これは主にNドープグラフェン構造の電子構造特性とLi/Naとの強い静電相互作用によって決定された。その結果,グラフェン表面上のNドーピングによるLi/Na容量の増強は,基底面上のピリジン-/ピロール-Nの存在よりむしろ多数のC空格子点欠陥の形成に主として起因できることが明らかになった。また,この計算は,ピリジン-Nドープグラフェンエッジが,NドープC空格子点欠陥に匹敵するLi/Na容量を有することを示した。それにもかかわらず,この過剰Li/Na容量は,これらのエッジピリジン-N基上のH原子の終端により大きく減少することを見出した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 点欠陥 ,  *電子構造 ,  *ナトリウム ,  *リチウム ,  静電相互作用 ,  *ドーピング ,  *構造特性 ,  第一原理 ,  吸着エネルギー ,  *ナノ材料 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  水素原子 ,  貯蔵容量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Nドープグラフェンナノ材料 ,  グラフェン上のLiとNaの貯蔵 ,  第一原理計算 ,  Nドープ欠陥グラフェン構造の電子構造

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (10件)： グラフェン ,  ナノ材料 ,  電子 ,  構造特性 ,  Li ,  Na ,  貯蔵容量 ,  ドーピング ,  第一原理 ,  研究