文献

J-GLOBAL ID：202202256485216406   整理番号：22A0438140

結晶特性とサマリウム置換はSBTi薄膜のナノメカニカルおよびマイクロ波誘電特性を改善する【JST・京大機械翻訳】

The crystalline nature and samarium substitution improves the nanomechanical and microwave dielectric properties of SBTi thin films

著者 (2件)： Rambabu A. (Department of Basic Sciences and Humanities, Physics Division, GMR Institute of Technology, Rajam, 532127, Andhra Pradesh, India) ,  Raju K.C. James (School of Physics, University of Hyderabad, Telangana, 500046, India)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 626  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サマリウム置換SBTi(SrBi_3.25Sm_0.75Ti_4O_15)薄膜を,ラジオ周波数(RF)スパッタリング法を用いて非晶質基板上に675~750°Cの温度範囲で蒸着した。非晶質から好ましい結晶性と単相形成をX線回折分析によって同定した。原子間力顕微鏡を用いて表面形態を捉え,粒径を計算した。SrBi_3.25Sm_0.75Ti_4O_15薄膜のマイクロ波誘電特性を10&20GHzで調べた。最高の誘電率(~118@10GHz,104@20GHz)が,優先配向で725°Cで堆積した膜で得られた。ナノインデンテーションとスクラッチ試験を,SrBi_3.25Sm_0.75Ti_4O_15薄膜のナノ機械的特性を評価するためにナノインデンテーション技術を用いて行った。最良の硬度~9.6GPaとYoung率~120GPaが750°Cで堆積した膜で観察された。本研究は,優先方位を持つ膜が強誘電体ランダムアクセスメモリとアクチュエータに潜在的用途を有することを明らかにした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Young率 ,  強誘電体 ,  *薄膜 ,  誘電率 ,  *サマリウム ,  X線回折分析 ,  非晶質 ,  結晶度 ,  ビスマス化合物 ,  優先配向 ,  スパッタ蒸着 ,  RAM【メモリ】 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *マイクロ波誘電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： RFスパッタリング ,  鉛フリービスマス化合物 ,  結晶の性質 ,  形態学的研究 ,  マイクロ波誘電特性 ,  ナノメカニカル特性

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶 ,  サマリウム ,  置換 ,  マイクロ波誘電特性