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J-GLOBAL ID：202202256489166221   整理番号：22A0976263

超酸処理によるサブナノメータ二酸化けい素膜の表面不動態化の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Surface Passivation of Subnanometer Silicon Dioxide Films by Superacidic Treatments

著者 (6件)： Grant Nicholas E. (School of Engineering, University of Warwick, United Kingdom) ,  Pain Sophie L. (School of Engineering, University of Warwick, United Kingdom) ,  White Joshua T. (Department of Chemistry, University of Warwick, United Kingdom) ,  Walker Marc (Department of Physics, University of Warwick, United Kingdom) ,  Prokes Ivan (Department of Chemistry, University of Warwick, United Kingdom) ,  Murphy John D. (School of Engineering, University of Warwick, United Kingdom)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 5  号： 2  ページ： 1542-1550  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブナノメートルスケールの二酸化ケイ素(SiO_2)膜は,シリコンデバイス加工の前,中,後でしばしば存在するが,それらは最小の表面不動態化を提供し,その後の処理段階に有害な影響を与える。ここでは,ナノメータおよびサブナノメートルSiO_2膜の表面不動態化が,超酸ビス-(トリフルオロ-メタン)-スルホンイミド(TFSA,時々TFSI)を用いた簡単な室温処理によって,2桁まで増強されるプロセスを開発した。超酸処理したSiO_2試料に対応する有効寿命曲線を正確にモデル化することにより,強化された不動態化は主にSi/SiO_2界面での界面欠陥密度(D_it)の減少によるものであり,また,負の電荷の存在から生じるマイナーな寄与を有することを決定した。処理したSiO_2膜のX線光電子分光法はフッ素の存在を明らかにし,これは水素と共にSi/SiO_2界面での欠陥の化学的不動態化の強力な候補である。後処理後,SiO_2膜は短い時間スケールの電子不安定性を示し,分解と回復が1~10時間にわたって観察され,これは注入依存寿命データの分析から決定されたように,D_itの変化に起因した。不安定性期間の後,表面不動態化は,日に関して比較的安定にとどまった。超酸系溶液の核磁気共鳴測定は,それらが表面不動態化不安定性を悪化させるので,電子供与性溶媒を避けるべきであることを明らかにした。結果は,簡単な戦略が超薄膜の不動態化特性を大きく増強するために使用でき,ナノテクノロジーの年代が太陽電池と電池を含む応用範囲のデバイス性能に利点を提供できることを示した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： NMR【磁気共鳴】 ,  界面 ,  太陽電池 ,  電池 ,  欠陥 ,  フッ素 ,  水素 ,  *不動態化 ,  二酸化ケイ素 ,  不安定性 ,  X線光電子分光法 ,  超薄膜 ,  ナノテクノロジー
準シソーラス用語： シリコンチップ ,  *表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 寿命 ,  ナノメートル ,  不動態化 ,  二酸化ケイ素 ,  超酸

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸処理 ,  サブ ,  ナノメータ ,  酸化けい素膜 ,  表面不動態化 ,  増強