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J-GLOBAL ID：202202256520240366   整理番号：22A0946998

ケージ化合物BaCu_2Se_2のCu空孔工学:高平均熱電性能指数のための温度依存ホール濃度の実現【JST・京大機械翻訳】

Cu vacancy engineering of cage-compound BaCu₂Se₂: Realization of temperature-dependent hole concentration for high average thermoelectric figure-of-merit

著者 (16件)： Weng Tianyao (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Li Zhili (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Li Yang (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Hu Yao (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Guo Kai (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Guo Kai (School of Physics and Materials Science, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China) ,  Liu Tao (Materials Genome Institute, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Zhang Jianxin (Materials Genome Institute, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Lyu Wanyu (Centre for Future Materials, University of Southern Queensland, Springfield Central, QLD 4300, Australia) ,  Xi Lili (Materials Genome Institute, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Yang Xinxin (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Jiang Ying (Materials Genome Institute, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Yang Jiong (Materials Genome Institute, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Zhang Jiye (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Luo Jun (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China) ,  Luo Jun (Materials Genome Institute, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, PR China)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 437  号： P1  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空洞工学は,熱電材料中のキャリア濃度の最適化のために,異原子価および格子間ドーピングの代替ルートを提供する。ワイドバンドギャップ半導体BaCu_2Se_2では,Cu空格子点は動的に安定である。この特徴は,熱電性能指数zTを最大化するために合理的に操作できる。本研究では,室温で,Cu欠乏BaCu_2-xSe_2試料は,エネルギーバンド変調に起因する正孔有効質量と移動度の増加を示し,これは,改善された電気輸送特性に好都合であった。より重要なことに,Cu空格子点から生じる欠陥エネルギー準位は,高温における正孔を連続的に寄与し,それにより,正孔濃度を最適濃度に近づけることができる。この影響は広い温度範囲にわたって力率の増加をもたらす。BaCu_2Se_2中のCu含有量の人工的還元は,格子熱伝導率を抑圧する強化点欠陥散乱をもたらした。この戦略は,823KでBaCu_1.94Se_2に対して達成された熱電性能指数zT=1.08を有する電気的および熱的輸送特性の同時最適化を可能にし,これは化学量論的BaCu_2Se_2のそれよりも38%高い。測定した温度範囲内で,BaCu_1.94Se_2の平均zT値は0.494であり,BaCu_2Se_2のそれより52.9%高かった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  エネルギー準位 ,  還元 ,  高温 ,  最適化 ,  正孔 ,  *銅 ,  力率 ,  *温度依存性 ,  原子価 ,  ドーピング ,  キャリア密度 ,  有効質量 ,  熱電材料
準シソーラス用語： 輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BaCu_2Se_2 ,  銅空孔 ,  ホール濃度 ,  欠陥エネルギー準位 ,  点欠陥散乱

分類 (2件)： 有害ガス処理法  (SC04030H) ,  触媒操作  (XE01050T)

タイトルに関連する用語 (8件)： ケージ ,  Cu ,  空孔 ,  工学 ,  平均 ,  熱電性能指数 ,  温度依存 ,  ホール濃度