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J-GLOBAL ID：202202256527514021   整理番号：22A1156173

ナトリウムイオン電池(SIB)のためのパラホウ素ドープAGNRへのNa吸着:第一原理解析【JST・京大機械翻訳】

Na Adsorption on Para Boron-Doped AGNR for Sodium-Ion Batteries (SIBs): A First Principles Analysis

著者 (2件)： Kumar Madhu Raj (Microelectronics and VLSI lab, National Institute of Technology, Patna, India) ,  Singh Sangeeta (Microelectronics and VLSI lab, National Institute of Technology, Patna, India)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 51  号： 5  ページ： 2095-2106  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パラホウ素ドープアームチェアグラフェンナノリボン(AGNR)の合成は,ホウ素ドープAGNR上のナトリウム(Na)原子の吸着挙動を探索することを動機づけた。本研究では,パラホウ素(B)ドープAGNR上へのNaの吸着,開回路電圧および貯蔵容量を調べた。BをAGNRでドープすると,同じ幅のAGNRと比較してバンドギャップを大きく低減した。AGNRとは対照的に,Naはパラホウ素ドープAGNRに強い結合を示し,これはパラドーピング効果によるナトリウムと炭素(Na-C)間の強い相互作用を示す。著者らの計算は,パラホウ素ドープAGNR上のNaの最大貯蔵容量が833mAhg[数式:原文を参照]であり,同じサイズのAGNR上のNaの貯蔵容量より16倍多いことを示した。報告した知見は,B原子の4.8%のドーピング濃度だけがNaの吸着と貯蔵容量を改善し,Na貯蔵のためのパラホウ素ドープAGNRと他の構造に関する将来の研究のための理論的根拠を築くことを確認した。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  強い相互作用 ,  *ナトリウム ,  *ドーピング ,  バンドギャップ ,  第一原理
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  ナトリウムイオン蓄電池 ,  ドーピング効果 ,  貯蔵容量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： パラホウ素ドープ ,  アームチェアグラフェンナノリボン(AGNR) ,  ナトリウムイオン電池(SIB)

分類 (3件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナトリウムイオン電池 ,  ホウ素 ,  ドープ ,  Na ,  吸着 ,  第一原理 ,  解析