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J-GLOBAL ID：202202256607732741   整理番号：22A0573547

低κ多面体オリゴマシルセスキオキサン/ポリイミドハイブリッド膜の調製とキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Preparation and characterization of low-κ polyhedral oligomeric silsesquioxane/polyimide hybrid films

著者 (7件)： Li T. (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Sun Y. (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Dai H.Y. (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Chen J. (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Xue R.Z. (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Liu D.W. (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China) ,  Wang M.M. (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, 450002, China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 278  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低誘電率と優れた総合的特性を有する一連のポリイミド(PI)/フェニル-POSS(POSS)ハイブリッド膜を,ポリイミド前駆体(Pyromellite ジアンヒドリド-4, 4′-ジアミノジフェニルエーテル)に種々の比率のPOSSを組み込むことにより,物理的ブレンド法により成功裏に調製した。適切な量のPOSSドーピングは,ハイブリッドフィルムにおける分子間電荷移動錯化を弱め,ナノポア体積分率を増加させるために,中空でケージ状の分子構造を有するPOSSの寄与により,ハイブリッド膜の光学的および誘電的性質を効果的に改善できる。代わりに,POSSドーピングの過剰な量は,POSS凝集によって誘起された界面分極効果により,誘電特性を減少できる。ドーピング量が15%のとき,最高の光透過は84.5%に達した。ドーピング量が25%のとき,誘電特性は最もよく改善された。104Hzでの誘電率と損失は,それぞれ2.37と0.0018に減少した。しかし,折畳み分子鎖中のPOSS分子分散が分子鎖PIマトリックスの相互作用を妨げるので,機械的性質はPOSS含有量の増加に応答して低下した。PI/POSS膜の誘電特性とそれらの非細孔体積分率の間の相関を陽電子寿命スペクトルの助けを借りて説明した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 機械的性質 ,  凝集 ,  電荷移動 ,  分子構造 ,  誘電率 ,  *ポリイミド ,  錯体生成 ,  誘電性 ,  光透過 ,  ドーピング ,  スペクトル ,  折畳み ,  分子鎖
準シソーラス用語： ナノ細孔 ,  *ハイブリッド膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ポリイミド ,  POSS ,  ハイブリッドフィルム ,  低誘電定数 ,  陽電子消滅

分類 (5件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の高分子材料  (YH07150C) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多面体オリゴマシルセスキオキサン ,  ポリイミド ,  ハイブリッド膜 ,  調製 ,  キャラクタリゼーション