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J-GLOBAL ID：202202256658247037   整理番号：22A0909035

テラヘルツ電子常磁性共鳴一般化分光偏光解析法:4H-SiC中の窒素欠陥の磁気応答【JST・京大機械翻訳】

Terahertz electron paramagnetic resonance generalized spectroscopic ellipsometry: The magnetic response of the nitrogen defect in 4H-SiC

著者 (11件)： Schubert Mathias (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA) ,  Knight Sean (Terahertz Materials Analysis Center and Center for III-N Technology, C3NiT-Janzen, Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden) ,  Richter Steffen (Terahertz Materials Analysis Center and Center for III-N Technology, C3NiT-Janzen, Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden) ,  Kuehne Philipp (Terahertz Materials Analysis Center and Center for III-N Technology, C3NiT-Janzen, Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden) ,  Stanishev Vallery (Terahertz Materials Analysis Center and Center for III-N Technology, C3NiT-Janzen, Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden) ,  Ruder Alexander (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA) ,  Stokey Megan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA) ,  Korlacki Rafal (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA) ,  Irmscher Klaus (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, 12489 Berlin, Germany) ,  Neugebauer Petr (CEITEC-Central European Institute of Technology, Brno University of Technology, Brno, Czech Republic) ,  Darakchieva Vanya (Terahertz Materials Analysis Center and Center for III-N Technology, C3NiT-Janzen, Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 10  ページ： 102101-102101-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テラヘルツ(THz)電子常磁性共鳴一般化分光偏光解析法(THz-EPR-GSE)について報告した。4H-SiCの窒素欠陥に関連したスピン遷移による磁場と磁気応答の周波数依存性の測定を例として示した。THz-EPR-GSEは空洞の必要がなく,独立に走査場と周波数パラメータを可能にし,磁場や周波数変調を必要としない。核スピン(I=1)とのカップリングを含む六方晶(h)および立方晶(k)配位窒素のスピン遷移を調べ,スピン遷移を説明する磁化率に対するモデルアプローチを提案した。THz-EPR-GSE測定から,スピン遷移の偏光特性を完全に決定することができ,磁場と周波数依存Lorentz振動子線形状関数を用いてk配位窒素gと超微細分裂パラメータを得ることができた。磁場線広がりは,現在,hパラメータへのアクセスを不明瞭にする。正と負の場でのTHz-EPR-GSEの測定は基本的に異なり,従って付加的情報を提供することを示した。固体状態材料におけるスピンの性質を研究するための多目的法として周波数走査THz-EPR-GSEを提案した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ESR【磁気共鳴】 ,  磁場 ,  磁化率 ,  周波数変調 ,  *窒素 ,  *炭化ケイ素 ,  周波数依存性 ,  *磁気 ,  立方晶系 ,  六方晶系 ,  振動子 ,  固相 ,  核スピン ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： スピン転移 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 磁性体測定技術・装置  (BM06030I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  磁気の計測法・機器  (AD07060U) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (9件)： テラヘルツ ,  電子常磁性共鳴 ,  一般化 ,  分光偏光解析法 ,  4H-SiC ,  窒素 ,  欠陥 ,  磁気 ,  応答