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J-GLOBAL ID：202202256886741599   整理番号：22A0787717

メモリスタキャッシュにおける自己終端書込み方式を通したデータ漏洩【JST・京大機械翻訳】

Data Leakage through Self-Terminated Write Schemes in Memristive Caches

著者 (4件)： Krautter Jonas (Institute of Computer Engineering, Karlsruhe Institute of Technology (KIT),Karlsruhe,Germany) ,  Mayahinia Mahta (Institute of Computer Engineering, Karlsruhe Institute of Technology (KIT),Karlsruhe,Germany) ,  Gnad Dennis R.E. (Institute of Computer Engineering, Karlsruhe Institute of Technology (KIT),Karlsruhe,Germany) ,  Tahoori Mehdi B. (Institute of Computer Engineering, Karlsruhe Institute of Technology (KIT),Karlsruhe,Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： ASP-DAC  ページ： 666-671  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新興非揮発性抵抗メモリにおけるメモリセルは,しばしば非対称スイッチング特性を持ち,そこでは,信頼できる書き込み操作が,書き込み期間を固定値に設定することによって達成される。それらの性能とエネルギー効率を改善するために,必要な状態変化を観測した後に,書込み信号が停止する自己終端書き込みスキームを提案した。本研究では,このデータ依存書き込み待ち時間が,制限記憶コンテンツを明らかにするために,複数の方法でサイドチャネルとしてどのように利用できるかを示した。さらに,この問題に取り組むための潜在的アプローチを議論し,評価した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  非対称性 ,  *キャッシュメモリ ,  待ち時間 ,  非揮発性 ,  チャネル ,  エネルギー効率
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  *メモリスタ ,  抵抗メモリ ,  書き込み操作 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己 ,  終端 ,  書込み ,  漏洩