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J-GLOBAL ID：202202257388216849   整理番号：22A0465249

二セレン化タングステン薄膜トランジスタのための選択的欠陥加熱グラフェン電極【JST・京大機械翻訳】

Selectively Defect-Healed Graphene Electrodes for Tungsten Diselenide Thin-Film Transistors

著者 (2件)： Kim Tae In (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, 34141, Korea) ,  Park Ick-Joon (Department of Electrical and Electronic Engineering, Joongbu University, Goyang, 10279, Korea)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 8  号： 1  ページ： e2100729  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンや遷移金属ジカルコゲン化物のような2Dナノ材料は,それらの異常な電気的,機械的,光学的特性のため,次世代ディスプレイへの応用のために,将来の電子材料として大きな興味を引いている。2D材料ベースの実用デバイスを達成するためには,ドーピング技術を通して,化学蒸着ベースの大面積合成と移動プロセスの間に必然的に発生するグラフェン欠陥を修復することが重要である。本論文では,電着金ナノ粒子によるグラフェンの選択的欠陥回復のための新規なアプローチを提案し,そこでは,欠陥ヘアリンググラフェンソース/ドレイン電極を,初めてp型タングステンジセレニド(WSe_2)薄膜トランジスタ(TFTs)と統合した。この提案したデバイスは,グラフェンの選択的欠陥回復により,大幅に向上した電気特性(キャリア移動度約230.8%)を示し,グラフェン/WSe_2界面の伝導率とSchottky障壁工学の観点から,性能改善機構を系統的に調査した。また,欠陥-剥離グラフェン電極の長期安定性が,1か月にわたって達成され,欠陥加工グラフェンのドーピング効果を維持するポリマーベースの不動態化層によって可能になった。したがって,著者らは,グラフェン電極ベースの高性能TFTを開発するための新しい戦略を提供し,将来のディスプレイのための革新的な導体としてのグラフェンの巨大な可能性を明らかにした。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  キャリア移動度 ,  光学的性質 ,  重合体 ,  電着 ,  不動態化 ,  *薄膜トランジスタ ,  ドーピング ,  電気特性 ,  二次元 ,  表示装置 ,  化学蒸着 ,  導体 ,  ナノ材料 ,  *グラフェン

著者キーワード (5件)： 化学蒸着グラフェン ,  欠陥治癒 ,  p型トランジスタ ,  二セレン化タングステン ,  二次元材料

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： セレン化タングステン ,  薄膜トランジスタ ,  欠陥 ,  グラフェン電極