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J-GLOBAL ID：202202257441635142   整理番号：22A0193440

原子層デバイスの魅力~ナノスケール物理の舞台として~

Fascinating atomic layer devices to study nanoscale physics

著者 (1件)： 新見康洋 (大阪大 大学院理学研究科)
資料名： 生産と技術  (季刊誌生産と技術)
巻： 74  号： 1 下巻  ページ： 76-79  発行年： 2022年01月10日 
JST資料番号： F0270A  ISSN： 0387-2211  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・原子層デバイスの紹介。
・NbSe₂原子層超伝導薄膜における負の抵抗の観測。
・超伝導体NbSe₂を原子層レベルまで薄くしたナノスケールデバイスを作製し,表面弾性波を照射することで実現される負の抵抗。
・3μW以上の交流電場を印加すると超伝導転移温度以下で観測される負の抵抗。
・CeTe₃原子層反強磁性体において観測されるける磁気ヒステリシスを伴った量子振動。
・原子層反強磁性体CeTe₃薄膜デバイスの抵抗率の温度依存性および観測される3K以下における反強磁性転移に伴う抵抗率の減少。

シソーラス用語： *原子層エピタクシー ,  セレン化ニオブ ,  層 ,  *超伝導薄膜 ,  テルル化物 ,  セリウム化合物 ,  磁気ヒステリシス ,  振動
準シソーラス用語： *原子層成長法 ,  原子層 ,  量子振動

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (3件)：

• M. Yokoi, S. Fujiwara, T. Kawamura, T. Arakawa, K. Aoyama, H. Fukuyama, K. Kobayashi, and Y. Niimi, Science Advances 6, eaba1377 (2020).
• M. Watanabe, S.-H. Lee, T. Asano, T. Ibe, M. Tokuda, H. Taniguchi, D. Ueta, Y. Okada, K. Kobayashi, and Y. Niimi, Applied Physics Letters 117, 072403 (2020).
• M. Watanabe, R. Nakamura, S.-H. Lee, T. Asano, T. Ibe, M. Tokuda, H. Taniguchi, D. Ueta, Y. Okada, K. Kobayashi, and Y. Niimi, AIP Advances 11, 015005 (2021).

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層デバイス ,  魅力 ,  ナノスケール ,  物理 ,  舞台