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J-GLOBAL ID：202202257528328051   整理番号：22A0976767

SnO/β-Ga_2O_3ヘテロ接合電界効果トランジスタと垂直p-nダイオード【JST・京大機械翻訳】

SnO/β-Ga₂O₃ heterojunction field-effect transistors and vertical p-n diodes

著者 (11件)： Tetzner Kornelius (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Egbo Kingsley (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Klupsch Michael (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Unger Ralph-Stephan (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Popp Andreas (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung (IKZ), Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Chou Ta-Shun (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung (IKZ), Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Anooz Saud Bin (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung (IKZ), Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Galazka Zbigniew (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung (IKZ), Max-Born-Strasse 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Trampert Achim (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Bierwagen Oliver (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Wuerfl Joachim (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 11  ページ： 112110-112110-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,パワーエレクトロニクス応用のためのSnO/β-Ga_2O_3ヘテロ接合垂直ダイオードと横方向電界効果トランジスタの実現について報告する。p型半導体SnOはn型(100)β-Ga_2O_3上にプラズマ支援分子線エピタキシーにより成長し,ドナー濃度はダイオードデバイスで3×1017cm-3,電界効果トランジスタで8.1×1017cm-3であった。蒸着膜は,正孔濃度と移動度がそれぞれ7.2×1018cm-3と1.5cm2/Vsの支配的なSnO(001)相を示した。ヘテロ接合ダイオードおよび電界効果トランジスタのその後の電気的特性は,オン/オフ電流比>106および4mΩcm2以下の比オン抵抗を有する安定なスイッチング特性を示した。さらに,4μmのゲート対ドレイン距離を有する非磁場メッキヘテロ接合トランジスタの空気中での絶縁破壊測定は,750Vの絶縁破壊電圧をもたらし,それはほぼ1.9MV/cmの平均破壊強度に等しい。得られた性能指数を178MW/cm2と計算し,最先端の特性を示した。これはこのヘテロ接合アプローチの高い可能性を強調する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  磁場 ,  プラズマ ,  蒸着膜 ,  絶縁破壊 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  電流 ,  ドナー ,  *トランジスタ ,  電気的性質 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ゲート【半導体】 ,  パワーエレクトロニクス ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  垂直 ,  ダイオード