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J-GLOBAL ID：202202257614492620   整理番号：22A0808686

非晶質SrTiO_3薄膜の誘電特性に及ぼす深紫外-オゾン光活性化の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Deep Ultraviolet-Ozone Photoactivation on Dielectric Properties of Amorphous SrTiO₃ Thin Films

著者 (2件)： Mudhaffar Asmaa (King Abdulaziz University, Physics Department Jeddah Saudi Arabia) ,  Al-Jawhari Hala (King Abdulaziz University, Department of Physics Jeddah Saudi Arabia)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 907  ページ： 17-23  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チタン酸ストロンチウムSrTiO_3薄膜を基板温度200°CでP型Si上に高周波マグネトロンスパッタリングにより作製した。2つの異なる堆積後アニーリング法をスパッタ膜に適用した。特に,300°Cでの60分間の従来の熱アニールと30分間の深紫外-オゾン下の光活性化処理。SrTiO_3薄膜の誘電特性をAu/STO/p-Si MOSキャパシタを作製して調べた。13の値を有する誘電率(κ)を,厚さ107nmの堆積したままの膜で得た。ポストアニールした試料は,それぞれ,深い紫外線-オゾン光活性化と300°Cでアニールされた膜に曝露した膜に対して,κ,正確に,15.33と19.32の高い値を示した。すべてのデバイスは1Vで10-8A/cm2のオーダーで漏れ電流を示した。XPS分析に基づいて,光活性化膜は酸素空孔の最低割合を明らかにし,これは低温における膜品質を高めるこの技術の能力を設計する。Copyright 2022 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コンデンサ ,  紫外線 ,  低温 ,  *薄膜 ,  誘電率 ,  *オゾン ,  *誘電性 ,  *非晶質 ,  漏れ電流 ,  チタン酸ストロンチウム
準シソーラス用語： *深紫外線 ,  *光活性化 ,  酸素空格子点 ,  熱アニーリング ,  ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： チタン酸ストロンチウム ,  高K誘電体 ,  高周波スパッタリング ,  紫外線-オゾン光活性化

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  薄膜 ,  誘電特性 ,  深紫外 ,  オゾン ,  光活性化