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J-GLOBAL ID：202202257764796886   整理番号：22A1043469

溶液処理p-MnO量子ドットとn-GaN p-n接合構造に基づく増強太陽ブラインド深UV光検出器【JST・京大機械翻訳】

Enhanced solar-blind deep UV photodetectors based on solution-processed p-MnO quantum dots and n-GaN p-n junction-structure

著者 (10件)： Alamoudi Hadeel (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Xin Bin (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Mitra Somak (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Hedhili Mohamed N. (Core Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Venkatesh Singaravelu (Core Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Almalawi Dhaifallah (Department of Physics, College of Science, Taif University, P. O. Box 11099, Taif 21944, Saudi Arabia) ,  Alwadai Norah (Department of Physics, College of Sciences, Princess Nourah Bint Abdulrahman University (PNU), Riyadh 11671, Saudi Arabia) ,  Alharbi Zohoor (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia) ,  Subahi Ahmad (College of Science and Health Professions, King Saud Bin Abdulaziz University for Health Sciences (KSAU-HS), Jeddah 22384, Saudi Arabia) ,  Roqan Iman S. (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 12  ページ： 122102-122102-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンドギャップ>3.5eVのp型ワイドバンドギャップ半導体を得ることは依然として困難である。ここでは,ワイドバンドギャップ(≧4eV)p型MnO量子ドット(QD)とn型SiドープGaNに基づくp-n接合デバイスを作製した。p-MnO QDsを,液体中での費用対効果の高いフェムト秒レーザアブレーションにより合成した。簡単なスプレーコーティング法を用いて,p-MnO/n-GaN系太陽ブラインド深UV(DUV)光検出器を作製した。X線回折,透過型電子顕微鏡およびRaman分光法は,MnO QD結晶構造を明らかにした。X線光電子分光分析は,p-MnO QDとn-GaN間の良好なバンド整列を明らかにし,(タイプII)スタガードバンド配列p-nヘテロ接合ベースデバイスを示した。電気的および光電流測定は,低い暗電流を有する高い光電流応答を示し,一方,優れた光応答性(約2530mA/W)が,自己出力および可視ブラインド特性(265nmカットオフ)と共に達成され,低光レベル応用に対する高い検出限界を有する高性能DUVデバイスを実証した。本研究は,III-窒化物p-n接合DUVデバイスに対するp型MnO QDの可能性に関する洞察を提供する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  ヘテロ接合 ,  結晶構造 ,  *太陽 ,  *光検出器 ,  スプレー塗装 ,  ドーピング ,  暗電流 ,  *窒化ガリウム ,  X線光電子分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *量子ドット ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *深紫外線 ,  ワイドバンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 溶液処理 ,  MnO ,  量子ドット ,  GaN ,  p-n接合 ,  増強 ,  太陽 ,  ブラインド ,  深UV ,  光検出器